[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板在审
申请号: | 201611083109.1 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN106783873A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 汪锐;邱海军;尚飞;金在光;崔星花;李少茹;黄中浩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底基板;
所述衬底基板上设置有多个栅线组、多个数据线、多个控制线和多个阵列排布的像素单元;
其中,每个所述栅线组包括两条栅线,所述多个栅线组中的任意两条栅线平行;数据线与栅线组交叉围成多个显示区域,每个所述显示区域内存在两个沿栅线的延伸方向排布的像素单元;所述控制线平行于所述数据线,且每条所述控制线与相邻的一条数据线之间存在一列像素单元;
所述多个阵列排布的像素单元构成多个像素单元组,每个所述像素单元组中的所有像素单元的公共电极相连接,且通过一条控制线连接至控制单元,任意两个所述像素单元组中的公共电极所连接的控制线不同,所述控制单元用于在触控感应时间段通过控制线向公共电极施加触控电压,以及在显示控制时间段通过控制线向公共电极施加公共电压。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述控制线与所述数据线同层设置。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,每个所述像素单元包括:
设置在衬底基板上的栅极;
设置有所述栅极的衬底基板上设置有栅极绝缘层;
设置有所述栅极绝缘层的衬底基板上设置有源漏极图案;
设置有所述源漏极图案的衬底基板上设置有像素电极;
设置有所述像素电极的衬底基板上设置有钝化层;
设置有所述钝化层的衬底基板上设置有公共电极;
其中,所述栅极与所述栅线同层设置,所述源漏极图案、所述数据线和所述控制线同层设置,公共电极通过钝化层上的过孔与控制线连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
每个所述显示区域由第一数据线、第二数据线、第一栅线和第二栅线围成,每个所述显示区域内存在第一像素单元和第二像素单元;
所述第一像素单元靠近所述第一数据线设置,所述第二像素单元靠近所述第二数据线设置,所述第一像素单元的栅极靠近所述第二栅线设置,所述第二像素单元的栅极靠近所述第一栅线设置;
所述第一像素单元的源极与所述第一数据线相连接,所述第二像素单元的源极与所述第二数据线相连接,所述第一像素单元的栅极与所述第二栅线相连接,所述第二像素单元的栅极与所述第一栅线相连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
每个所述像素单元组中的所有公共电极构成公共电极组,所述阵列基板中的任意两个相邻的公共电极组的间距为d,4微米≤d≤10微米。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述多个栅线组、所述多个数据线和所述多个控制线交叉围成多个子区域,每个所述子区域内设置一个所述像素单元。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述数据线与所述控制线均垂直于所述栅线。
8.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成多个栅线组、多个数据线、多个控制线和多个阵列排布的像素单元;
其中,每个所述栅线组包括两条栅线,所述多个栅线组中的任意两条栅线平行;数据线与栅线交叉围成多个显示区域,每个所述显示区域内存在两个沿栅线的延伸方向排布的像素单元;所述控制线平行于所述数据线,且每条所述控制线与相邻的一条数据线之间存在一列像素单元;
所述多个阵列排布的像素单元构成多个像素单元组,每个所述像素单元组中的所有像素单元的公共电极相连接,且通过一条控制线连接至控制单元,任意两个所述像素单元组中的公共电极所连接的控制线不同。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,
所述控制线与所述数据线同层形成。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1至7任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的