[发明专利]具有增大的栅-漏电容的晶体管器件

权利要求书

1.一种晶体管器件，包括：

半导体本体，具有有源区和焊盘区；

至少一个晶体管单元，包括通过栅电介质与本体区介质绝缘的栅电极，其中本体区布置在有源区中；

电极层，布置在焊盘区上方并且通过另外的电介质与焊盘区介质绝缘；

栅焊盘，布置在电极层上方并且电气连接到至少一个晶体管单元的栅电极和电极层，其中另外的电介质的厚度等于或小于栅电介质的厚度，

半导体本体的有源区和焊盘区中的漂移区，其中漂移区与至少一个晶体管器件的本体区形成pn结；

有源区中的至少一个第一类型补偿区，其中所述至少一个第一类型补偿区邻接漂移区，并且具有与漂移区的掺杂类型互补的掺杂类型；以及

焊盘区中的多个第二类型补偿区，其中所述多个第二类型补偿区邻接漂移区，并且具有与漂移区的掺杂类型互补的掺杂类型，

其中所述多个第二类型补偿区中的至少一些的掺杂浓度取决于相应补偿区与有源区之间的距离，其中该距离越长，掺杂浓度就越低。

2.根据权利要求1所述的晶体管器件，进一步包括多个晶体管单元，每一个晶体管单元包括布置在半导体本体的有源区中的本体区。

3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中至少一个晶体管单元还包括通过本体区与漂移区分离的源区以及通过漂移区与本体区分离的漏区。

4.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中至少一个第一类型补偿区邻接至少一个晶体管单元的本体区。

5.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中多个第二类型补偿区中的至少一个的形状和掺杂浓度等于至少一个第一类型补偿区的形状和掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中多个第二类型补偿区的掺杂浓度低于至少一个第一类型补偿区的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中焊盘区的至少一个区段中的漂移区的掺杂浓度低于有源区中的漂移区的掺杂浓度。

8.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中焊盘区中的漂移区的掺杂浓度等于有源区中的漂移区的掺杂浓度。

9.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中焊盘区的至少一个区段中的漂移区具有比有源区中的漂移区更高的掺杂浓度。

10.根据权利要求3所述的晶体管器件，还包括：掺杂区，具有与漂移区相同的掺杂类型并且具有比漂移区更高的掺杂浓度，其中所述掺杂区邻接焊盘区中的漂移区。

11.一种晶体管器件，包括：

半导体本体，具有有源区和焊盘区；

至少一个晶体管单元，包括通过栅电介质与本体区介质绝缘的栅电极，其中本体区布置在有源区中；

电极层，布置在焊盘区上方并且通过另外的电介质与焊盘区介质绝缘；

栅焊盘，布置在电极层上方并且电气连接到至少一个晶体管单元的栅电极和电极层，其中另外的电介质的厚度等于或小于栅电介质的厚度；

在半导体本体的有源区和焊盘区中的漂移区，其中该漂移区与至少一个晶体管器件的本体区形成pn结；

有源区中的至少一个第一类型补偿区，其中所述至少一个第一类型补偿区邻接漂移区，并且具有与漂移区的掺杂类型互补的掺杂类型；以及

焊盘区中的多个第二类型补偿区，其中所述多个第二类型补偿区邻接漂移区，并且具有与漂移区的掺杂类型互补的掺杂类型，

其中所述多个第二类型补偿区中的至少一个的竖直长度低于至少一个第一类型补偿区的竖直长度。

12.根据权利要求11所述的晶体管器件，其中多个第二类型补偿区中的至少一些的竖直长度取决于相应补偿区与有源区之间的距离，其中该距离越长，竖直长度就越低。

13.根据权利要求11所述的晶体管器件，还包括：边缘终止结构，在焊盘区中在焊盘区的至少一个区段与有源区之间。