[发明专利]在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法有效
| 申请号： | 201611080557.6 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106591770B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 程其进;郭斌;渠亚洲;林冠华 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23C8/36 | 分类号： | C23C8/36;C23C8/12 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属氧化物纳米材料 纳米材料 低维 反应装置 辉光放电 金属箔基 可控制 等离子体 有效降低能耗 表面氧化物 反应时间短 反应物分子 金属箔表面 形貌可控 有效激发 氩气 生长 抽真空 金属箔 电极 电离 放入 离解 加热 去除 打磨 氧气 冷却 清洗 金属 生产 | ||
1.在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，其特征在于其具体步骤如下：
将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放入反应装置中并抽真空，然后升温，再通入氩气与氧气并通过两端的电极进行辉光放电，辉光放电结束后，待反应装置冷却到室温便可获得低维金属氧化物纳米材料；
所述氩气与氧气的体积比为（15～5）︰1；所述升温是升至400～600℃，所述辉光放电采用管式炉。
2.如权利要求1所述在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，其特征在于所述金属箔选自锌箔、铁箔、铜箔中的一种。
3.如权利要求1所述在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，其特征在于所述金属箔的尺寸为10mm×10mm×0.25mm。
4.如权利要求1所述在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，其特征在于所述抽真空是抽至10Pa。
5.如权利要求1所述在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，其特征在于所述升温的速率为25～30℃/min。
6.如权利要求1所述在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，其特征在于所述辉光放电的时间为0.2～0.5h。
7.如权利要求1所述在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，其特征在于所述金属箔的纯度为99.99%。
8.如权利要求1所述在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，其特征在于所述清洗是分别用去离子水、丙酮、无水乙醇超声清洗。
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