[发明专利]用于分离多个芯片的方法在审
| 申请号： | 201611079407.3 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106941095A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | F·皮施纳;P·斯坦普卡 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 分离 芯片 方法 | ||
1.用于分离多个芯片(104)的方法，其中，每个芯片具有：
·衬底(106)；
·布置在所述衬底(106)中和/或所述衬底(106)上的有源区(128)，在该有源区中构成有至少一个电子部件；
·在所述有源区(128)上面的电介质(108)；
其中，所述方法具有以下步骤：
·在所述芯片(104)之间构成至少一个第一沟道(112)，其中，所述至少一个第一沟道(112)穿过所述电介质(108)和所述有源区地构成并且延伸到所述衬底(106)中；
·从与所述第一沟道(112)对置的衬底侧沿锯切路径来锯衬底材料，该锯切路径相应于所述至少一个第一沟道(112)的走向，使得构成至少一个第二沟道(122)，其中，所述至少一个第一沟道的宽度小于或等于所述至少一个第二沟道(122)的宽度。
2.根据权利要求1所述的方法，还具有：在锯所述衬底材料前，使所述衬底(106)变薄到所期望的衬底厚度(130d)。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述至少一个第一沟道(112)借助蚀刻来构成。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一个第一沟道(112)借助等离子体蚀刻来构成。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在等离子体蚀刻过程中改变等离子体的组成成分和/或等离子体的激励。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法，其中，借助锯片来进行锯切。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的方法，其中，所述至少一个第一沟道(112)构成有在约5μm到约50μm范围中的最大沟道深度(114d)。
8.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中，所述芯片以约3μm至约10μm的相互距离(110d)构成。
9.根据权利要求1到8中任一项所述的方法，其中，所述电介质(108)具有小于或等于3.9的介电常数。
10.根据权利要求1到9中任一项所述的方法，其中，所述至少一个第二沟道(222)的宽度大于两个相邻的第一沟道(212)之间的距离，使得在锯切所述至少一个第二沟道(222)时使所述两个相邻的第一沟道(212)在背侧打开。
11.根据权利要求1到10中任一项所述的方法，其中，所述至少一个第一沟道(112)比所述多个芯片的多个有源区(128)更深地延伸到所述衬底中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
