[发明专利]集成电路的标准单元布局结构及其形成方法

说明书

在一些实施例中，本公开涉及一种在BEOL互连层和中段制程(MEOL)结构之间具有平行导电路径的集成电路(IC)，这些导电路径被配置为减小寄生电阻和/或电容。IC包括布置在衬底内并且由沟道区隔开的源极/漏极区。栅极结构布置在沟道区上方，并且MEOL结构布置在源极/漏极区的一个的上方。导电结构布置在MEOL结构上方并且与MEOL结构电接触。第一导电接触件布置在MEOL结构和上覆的BEOL互连线(例如，电源轨)之间。第二导电接触件被配置为沿着延伸穿过导电结构的导电路径来电连接BEOL互连线和MEOL结构，从而在BEOL互连层和MEOL结构之间形成平行的导电路径。本公开的实施例还涉及一种形成集成电路的方法。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及集成电路的标准单元布局结构及其形成方法。

背景技术

在过去的四十年中，半导体制造工业一直受到对更高性能(例如，增大的处理速度，存储容量等)、缩小的形状因数、延长的电池寿命和更低的成本的持续需求的驱动。响应于这种需求，半导体工业不断地减小了半导体器件部件的尺寸，使得现代集成芯片可以包括布置在单个半导体管芯上的数百万或数十亿的半导体器件。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种集成电路，包括：第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，布置在半导体衬底内并且由沟道区隔开；栅极结构，设置在所述沟道区上方；中段制程(MEOL)结构，布置在所述第二源极/漏极区上方；导电结构，设置在所述MEOL结构上并且与所述MEOL结构电接触；第一导电接触件，垂直布置在所述MEOL结构和后段制程(BEOL)互连线之间；以及第二导电接触件，被配置为沿着延伸穿过所述导电结构的导电路径而电连接所述BEOL互连线和所述MEOL结构。

根据本发明的另一方面，提供了一种集成电路，包括：第一栅极结构，沿着第一方向在有源区上方延伸，其中，所述有源区包括设置在半导体衬底内的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第一MEOL结构和第二MEOL结构，设置在所述第一栅极结构的相对两侧上，其中，所述第一MEOL结构在所述第一方向上在所述第一源极/漏极区上延伸，并且所述第二MEOL结构在所述第一方向上在所述第二源极/漏极区上延伸；导电结构，布置在所述第二MEOL结构上方并且与所述第二MEOL结构电接触；第一导电接触件，布置在所述第二MEOL结构的上方并且在金属电源轨的下方，所述金属电源轨沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；以及第二导电接触件，被配置为沿着延伸穿过所述导电结构的导电路径来电连接所述金属电源轨和所述第二MEOL结构。

根据本发明的又一方面，提供了一种形成集成电路的方法，包括：在半导体衬底上方形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构的相对两侧上形成第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；在所述第一源极/漏极区上形成第一MEOL结构，并且在所述第二源极/漏极区上形成第二MEOL结构；在所述第二MEOL结构上并且与所述第二MEOL结构直接接触地形成导电结构；以及通过延伸穿过布置在所述第二MEOL结构上的第一导电接触件的第一导电路径和通过延伸穿过所述导电结构的第二导电路径形成连接至所述第二MEOL结构的BEOL金属互连线。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1示出了具有被配置为减小寄生电阻的电喇叭结构(power horn structure)的集成电路的一些实施例的顶视图。

图2A至图2B示出具有被配置为减小寄生电阻的电喇叭结构的集成电路的一些实施例的截面图。

图3至图7B示出了具有电喇叭结构的集成电路的一些附加实施例。

图8A至图8C示出具有被配置为减小寄生电阻的电喇叭结构的或非门的一些实施例。