[发明专利]电子芯片有效

专利信息
申请号: 201611073902.3 申请日: 2016-11-29
公开(公告)号: CN107305882B 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: A·萨拉菲亚诺斯;M·利萨特;J·弗特 申请(专利权)人: 意法半导体(鲁塞)公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 电子 芯片
【说明书】:

本公开的实施例提供了一种电子芯片,包括:在第一导电类型的区域上交替连续设置的多个具有第一导电类型的第一半导体条和多个具有第二导电类型的第二半导体条;设置在每个第二半导体条端部的两个检测触点;用于检测每个第二半导体条端部的两个检测触点之间的电阻的电路;在第二半导体条中延伸到电路元件之间的第一深度的绝缘槽;以及贯穿每个第二半导体条的整个宽度延伸到大于第一深度的第二深度的绝缘壁。

技术领域

本公开涉及电子芯片,更为具体地涉及一种防止从芯片的后表面进行攻击的电子芯片。

背景技术

包括机密数据的电子芯片,如银行卡芯片,很可能受到来自盗版者的攻击,目的在于确定芯片的操作并从中提取机密信息。

发明内容

因此,实施例提供了一种电子芯片,该电子芯片包括:第一导电类型的多个第一半导体条和第二导电类型的多个第二半导体条,该多个第一半导体条和多个第二半导体条在第一导电类型的区域上连续且交替地设置;设置在每个第二半导体条的端部的两个检测触点;用于检测每个第二半导体条的检测触点之间的电阻的电路;在电路元件之间在第二半导体条中延伸下降到第一深度的绝缘槽;以及延伸穿过每个第二半导体条的整个宽度下降到第二深度的绝缘壁,该第二深度大于第一深度。

根据一个实施例,第二深度与第一深度的比值大于1.5.

根据一个实施例,该芯片包括在第二半导体条的每个上的多个偏置触点,每个偏置触点通过开关连接到偏置电势源。

根据一个实施例,每个绝缘壁都具有位于绝缘槽中的部分。

根据一个实施例,第一导电类型的掺杂区域位于每个绝缘壁的下部。

根据一个实施例,绝缘壁具有范围在50nm到150nm之间的宽度。

根据一个实施例,每个检测电路能够比较第二半导体条中的两个第二半导体条的电阻以及当两个第二半导体条的电阻的比值大于阈值时生成警报信号。

根据一个实施例,所述阈值在2到5的范围中。

根据一个实施例,每个检测电路能够在两个第二半导体条的检测触点上施加电压,并且能够比较从两个第二半导体条中的一个流经的电流的放大值与从两个第二半导体条中另一个流经的电流的放大值。

根据一个实施例,所述电压在300mV到600mV的范围中。

上述内容以及以下结合附图将要详细讨论的其他特征和优点的非限制性的具体实施方式。

附图说明

图1A为电子芯片的局部简化俯视图;

图1B为电子芯片的截面图并图示了攻击检测电路的;

图2A为电子芯片的实施例的局部简化俯视图;

图2B为如图2A中所示实施例的截面图并图示了检测电路;

图3为图示了绝缘壁的一个示例的局部简化截面图;

图4为图示了绝缘壁的另一个示例的局部简化横截面图;

图5为图示了绝缘壁的另一个示例的局部简化横截面图;以及

图6示出了连接到两个阱的检测电路的示例。

具体实施方式

由与本发明的申请人相同的申请人在2015年9月30日提交的法国专利申请No.15/59292,对应于2016年3月16日提交的美国专利申请No.15/072,209,描述了防止盗版攻击的电子芯片。图1A和图1B示出了与本专利申请的图3A和图3B相关的元素。

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