[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

说明书

根据各个实施例，一种装置可以包括：半导体区域；布置在半导体区域之上的金属化层；以及布置在金属化层和半导体区域之间的自组阻挡层，其中自组阻挡层可以包括配置用于从金属化层自离析的第一金属。

技术领域

各个实施例通常涉及一种半导体器件以及一种形成该半导体器件的方法。

背景技术

通常，可以以半导体技术在衬底(也称作晶片或载片)上和/或中处理半导体器件。衬底可以包括多个半导体器件(例如芯片)，在衬底的对应区域中处理或者安装多个半导体器件。为了制造这些半导体器件，形成某些层和层堆叠，例如电互联、阻挡层和有源区域。

传统地，某些层组合和/或材料组合要求相互扩散分离，例如如果它们倾向于相互反应。扩散分离可以由阻挡层提供。然而，在处理期间，较高的温度可以增大原子的活性和/或迁移率，从而阻挡层通常要求高完整性以防止在相应层之间扩散。在处理期间可能产生的阻挡层中的缺陷可以削弱阻挡层的完整性，并且可以允许穿过阻挡层相互扩散。这可以使得层的功能(例如它们用于提供低电阻连接的能力)恶化，或者可以破坏半导体器件。借由示例的方式，在形成阻挡层期间，表面污染物可以在阻挡层中诱发孔洞，示意性地用作相互扩散栅闸。此外，阻挡层地某一缺陷密度可以随着层之间相互扩散区域增大而降低阻挡层的可靠性。借由示例的方式，增大接触焊盘与有源区域之间的界面区域可以导致所制造半导体器件故障率的增大。

在半导体器件的处理期间和/或在半导体器件的可靠性测试期间，可以对半导体器件施加高温，例如大于约200℃，例如大于约400℃。这可以增大半导体器件中材料的扩散活性，增大了在处理或测试期间破坏半导体器件的风险。

传统地，可以通过增大阻挡层的数目，例如通过形成多层阻挡层而提高阻挡层的可靠性。多层阻挡层要求更高的努力，更多处理时间，以及额外的材料，这可以增大制造成本。

多层阻挡层的可靠性也可以随着增大互相扩散区域面积而降低。此外，由表面污染物引起的缺陷可以延伸穿过多层阻挡层的所有层，并且因此无法通过增大阻挡层数目而减少。

发明内容

根据各个实施例，一种器件可以包括：半导体区域；沉积在半导体区域之上的金属化层；以及布置在金属化层和半导体区域之间的自组阻挡层，其中自组阻挡层包括被配置用于与金属化层自离析(self-segregating)的第一金属。

附图说明

在附图中，遍及不同视图，相同的附图标记通常涉及相同的部件。附图无需按照比例，替代地通常强调的是示出本发明的原理。在以下说明书中，参照附图描述本发明的各个实施例，其中：

图1A和图1B以示意性剖视图或侧视图分别示出了在根据各个实施例的方法中根据各个实施例的半导体器件；

图2A和图2B以示意性剖视图或侧视图分别示出了在根据各个实施例的方法中根据各个实施例的半导体器件；

图3A和图3B以示意性剖视图或侧视图分别示出了在根据各个实施例的方法中根据各个实施例的半导体器件；

图4A和图4B分别示出了示意图；

图5A和图5B分别示出了示意图；

图6A和图6B分别示出了示意图；

图7A和图7B分别示出了示意图；

图8A和图8B分别示出了示意图；

图9A和图9B分别示出了示意图；

图10A和图10B分别示出了示意图；

图11示出了示意图；

图12以示意性剖视图或侧视图示出了在根据各个实施例的方法中根据各个实施例的半导体器件；