[发明专利]一种消除薄膜电路划切毛刺的方法有效
| 申请号: | 201611072640.9 | 申请日: | 2016-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN106601672B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
| 发明(设计)人: | 曲媛;黄海涛;王平 | 申请(专利权)人: | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L23/544 |
| 代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 陈鹏 |
| 地址: | 710100 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 消除 薄膜 电路 毛刺 方法 | ||
1.一种消除薄膜电路划切毛刺的方法,其特征在于步骤如下:
a)准备正、反图形对应,且具有正、反面对准标记的两块掩膜版,作为一套掩膜版,其中正面掩膜版包含有正面电路图形、正面对准标记和正面划切定位标记,而反面掩膜版包含有网格线图形和反面对准标记;
b)准备适合电路尺寸的基板,清洗基板后溅射金属膜层,并进行整版电镀加厚;
c)在基板的正面涂覆光刻胶,使用正面掩膜版进行曝光光刻,将正面掩膜版上的所有图形标记转移至正面基板上;
d)采用腐蚀工艺,在基板上刻蚀出正面图形、正面对准标记和正面划切定位标记;
e)翻转基板,在基板的背面涂覆光刻胶,使用反面掩膜版,将反面掩膜版上的对准标记与正面对准标记套准,进行曝光;
f)采用腐蚀工艺,在基板背面刻蚀出划切沟槽和反面对准标记;
g)采用砂轮划片机,沿正面划切定位标记进行切割,得到单片电路产品;
所述步骤a)中,正面掩膜版上的电路图形以矩阵式规则排列,图形与图形之间添加砂轮划切所需的定位对准标记,并在图形排列的区域两侧的对称位置各添加一个正面对准标记;反面掩膜版上规则排列网格,网格间的网格线与正面划切定位对准标记位置相同,在网格排列区域的两侧,与正面对准标记相同位置处各添加一个反面对准标记;正、反面掩膜版上的对准标记为长宽大小尺寸完全相同的“十”字结构图形,将反面对准标记的四端进行优化,每端添加两个辅助识别的微小凹槽并在每个反面对准标记的外部添加小边框,并且反面掩膜版上的背面图形边框相比正面图形边框应进行特定尺寸的精确内缩;
所述步骤e)中,背面基板的掩膜版曝光,利用反面掩膜版上对准标记的特殊凹槽结构与基板正面图形上的对准标记实现操作便捷、高精度的图形定位套刻,然后进行曝光。
2.根据权利要求1所述的一种消除薄膜电路划切毛刺的方法,其特征在于:所述步骤b)中,通过磁控溅射工艺在陶瓷基材上制作溅射金属膜层,通过整板电镀的方式在溅射膜层上进行金属层加厚。
3.根据权利要求1所述的一种消除薄膜电路划切毛刺的方法,其特征在于:所述步骤f)中,通过腐蚀工艺,在背面金属层制作完成的同时,切割沟槽也制作出来;背面的划切沟槽没有金属膜层覆盖,陶瓷基材完全裸露。
4.根据权利要求1所述的一种消除薄膜电路划切毛刺的方法,其特征在于:所述步骤g)中,砂轮划片过程中,砂轮刀片仅与陶瓷基材摩擦作用,不与背面金属膜层接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





