[发明专利]一种金刚烷胺分子印迹膜压电传感器的制备方法

权利要求书

1.一种金刚烷胺分子印迹膜压电传感器的制备方法，其特征在于，所述压电传感器制备包括如下步骤：

(1)电极预处理；

将石英晶体金电极在乙醇中超声，然后用新制备的“Piranha”溶液浸泡5分钟，用双蒸水清洗干净，在0.05mol L^-1H₂SO₄溶液中进行循环伏安(电位范围：-0.2V～+1.5V)扫描直至电流稳定，然后将石英晶体金电极用氮气吹干，固定于流通池；

(2)氧化石墨烯-金纳米复合材料的修饰

将预处理(步骤1)后石英晶振金电极置于20mL氧化石墨烯/HAuCl₄混合液(HAuCl₄和氧化石墨烯的浓度分别为1mmol/L和1mg/mL)中，持续搅拌，电压范围为-1.5～0.5V，扫描速率为50mV s^-1，循环两次，电沉积氧化石墨烯-金纳米复合材料，用双蒸水和无水乙醇清洗后，氮气吹干，存于4℃备用；

(3)邻氨基苯硫酚自组装

将沉积氧化石墨烯-金纳米复合材料的石英晶振金电极浸没于10mmol L^-1邻氨基苯硫酚溶液中过夜处理，避光，形成邻氨基苯硫酚自组装单分子层；

(4)电沉积金刚烷胺分子印迹聚合物

将步骤3中单体自组装的金电极取出，用乙醇和双蒸水清洗干净，在50mL甲醇预聚合溶液中，在电位范围+0.2V～+1.4V循环伏安扫描15圈，电沉积金刚烷胺聚邻氨基苯硫酚分子印迹聚合物，扫速为50mV s^-1；

(5)模板分子的洗脱

使用30μL 1.0mol L^-1HCl溶液洗脱截留在分子印迹聚合物膜中的模板金刚烷胺分子，每次15min，重复三次，然后，获得的分子印迹聚合物修饰电极用双蒸水和甲醇清洗后，氮气吹干备用。

2.根据权利要求1所述的一种金刚烷胺分子印迹膜压电传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，石英晶体金电极表面使用无水乙醇超声10min，然后浸没于“Piranha”溶液中5min；后在0.05mol L^-1H₂SO₄溶液中循环伏安扫描，电位范围为-0.2V～+1.5V，直到获得稳定的电化学响应。

3.根据权利要求1所述的一种金刚烷胺分子印迹膜压电传感器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，在金电极表面电沉积合成氧化石墨烯-金纳米复合材料，电位扫描范围为-1.5～0.5V，扫速为50mV·s^-1，循环两次。

4.根据权利要求1所述的一种金刚烷胺分子印迹膜压电传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)自组装邻氨基苯硫酚单分子层时，邻氨基苯硫酚溶液浓度为10mmol L^-1，过夜处理。

5.根据权利要求1所述的一种金刚烷胺分子印迹膜压电传感器的制备方法，其特征在于，步骤(4)电沉积邻氨基苯硫酚的电位范围为+0.2V～+1.4V，扫描15圈，扫速为50mV s^-1。

6.根据权利要求1所述的一种金刚烷胺分子印迹膜压电传感器的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述HCl浓度是1.0mol L^-1，用量为30μL，洗脱时间为15分钟每次。