[发明专利]有机发光二极管显示装置有效
| 申请号: | 201611071814.X | 申请日: | 2016-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN106935624B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
| 发明(设计)人: | 郑乐允;白钦日;朱明午;崔正默;赵玧朱 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,包括:
基板,在所述基板上限定有红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区;
分别在所述红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区中的第一电极;
分别在所述红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区中并且位于相应的第一电极上的第一发光层、第二发光层和第三发光层;
在所述第一发光层、第二发光层和第三发光层上的第二电极;和
在所述第二电极上且分别与所述红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区对应的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器,
其中所述第一发光层的厚度小于所述第二发光层的厚度并且大于所述第三发光层的厚度,
其中所述第一发光层和第二发光层中的每一个都包括空穴辅助层、发光材料层和电子辅助层,
其中所述第一发光层的空穴辅助层的厚度小于所述第二发光层的空穴辅助层的厚度,并且大于所述第三发光层的空穴辅助层的厚度,
其中所述第一发光层的空穴辅助层的厚度是250nm至280nm,所述第二发光层的空穴辅助层的厚度是310nm至330nm。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中:
所述第一发光层、第二发光层和第三发光层的每一个包括具有第一发光峰值和不同于第一发光峰值的第二发光峰值的黄色发光材料。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第三发光层包括蓝色发光材料。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第一发光层和第二发光层中的每一个都包括黄色发光材料。
5.如权利要求2或4所述的有机发光二极管显示装置,其中所述黄色发光材料在530nm至555nm的波长范围内具有第一发光峰值,在590nm至620nm的波长范围内具有第二发光峰值。
6.如权利要求2或4所述的有机发光二极管显示装置,其中所述黄色发光材料包括4,4'-N,N'-二咔唑-联苯基(CBP),且还包括双[2-(4-叔丁基苯基)苯并噻唑-N,C2']铱(乙酰丙酮基)[(t-bt)2Ir(acac)]作为掺杂剂。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第一发光层的空穴辅助层的厚度对应于第二级空腔条件,且所述第二发光层的空穴辅助层的厚度对应于第三级空腔条件。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第三发光层的空穴辅助层的厚度是30nm至70nm。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中在所述第一电极上设置有绝缘材料的堤层,所述堤层具有暴露出所述第一电极的开口,并覆盖所述第一电极的边缘,所述第一发光层、第二发光层和第三发光层的每一个设置在由所述堤层的开口暴露的第一电极上。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示装置,其中所述堤层具有单层结构或双层结构。
11.如权利要求9所述的有机发光二极管显示装置,其中所述堤层包括第一堤部和在第一堤部上的第二堤部,且所述第一堤部具有比所述第二堤部更宽的宽度。
12.如权利要求11所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第一堤部由具有亲水特性的无机绝缘材料或者有机绝缘材料形成,所述第二堤部由具有疏水特性的无机绝缘材料形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





