[发明专利]改进型陶瓷耦合器的加工方法有效
申请号: | 201611070257.X | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN107369872B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 陈凯;邢如贵;吴晓言;李光健 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01P5/18 | 分类号: | H01P5/18;H01P11/00 |
代理公司: | 北京正和明知识产权代理事务所(普通合伙) 11845 | 代理人: | 李芳芳 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进型 陶瓷 耦合器 加工 方法 | ||
1.一种改进型陶瓷耦合器的加工方法,其特征在于,具体步骤如下:
步骤一,加工壳体、插针组件,并将插针组件安装在壳体上;
步骤二,用酒精将壳体内部擦拭干净后,放入与壳体内底面形状相符的成型焊片;
步骤三,将陶瓷板放置在成型焊片上,并使用焊接工装将陶瓷板压紧,其中,所述陶瓷板上设有36.5欧姆的定向电阻;
步骤四,使用回流焊机进行焊接,回流焊机各温区温度控制在260-290℃;
步骤五,取绝缘硅酮胶,按1∶1比例搅拌均匀,静置3-5分钟,胶内无气泡后慢慢倒入壳体内,封装胶的高度略低于壳体内部高度2mm,其中,所述封装胶的灌入量为15-17ml;
步骤六,静置2分钟后进行加热,从50℃开始逐渐升温至120℃;
步骤七,安装盖板,完成耦合器的加工。
2.根据权利要求1所述的改进型陶瓷耦合器的加工方法,其特征在于,所述步骤六中的加热过程依次为:50℃加热10分钟,75℃加热10分钟,85℃加热10分钟,100℃加热5分钟,120℃加热10分钟。
3.根据权利要求1至2任意一项所述的改进型陶瓷耦合器的加工方法,其特征在于,所述焊接工装包括底板,底板上设有容纳插针的孔,底板上安装有压杆,压杆底端安装有聚四氟压圈,压杆通过长螺钉安装在底板上。
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