[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底；

至少一个第一栅极结构，存在于所述衬底上；

至少一个第一间隔件，存在于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上；

至少一个掩模层，存在于所述第一栅极结构上；

至少一个源漏结构，邻近于所述第一间隔件；

至少一个第一介电层，至少存在于所述掩模层上并且在所述第一介电层中具有开口，其中，所述源漏结构至少通过所述开口暴露；

至少一个导体，电连接至所述源漏结构，其中，所述导体具有位于所述第一介电层的所述开口中的上部和位于所述上部与所述源漏结构之间的下部；以及

至少一个保护层，至少存在于所述导体的所述下部与所述第一间隔件之间以及所述导体的所述上部与所述源漏结构之间，所述保护层包括具有倾斜侧壁的倾斜上部和具有竖直侧壁的竖直下部，所述倾斜上部的顶面与所述掩模层的顶面齐平；以及

第二介电层，至少存在于所述导体的所述下部与所述第一间隔件之间以及所述保护层与所述源漏结构之间，所述第二介电层包括从所述保护层至所述源漏结构连续延伸的相同材料，

其中，所述倾斜侧壁与所述第一间隔件的接触面与所述导体的所述上部的侧壁对齐，所述源漏结构的底面与所述第一栅极结构的底面齐平。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述保护层由氮化硅、氮氧化硅或它们的组合制成。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

至少一个第二栅极结构，存在于所述衬底上；以及

至少一个第二间隔件，存在于所述第二栅极结构的至少一个侧壁上，其中，所述源漏结构存在于所述第一间隔件与所述第二间隔件之间。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述保护层还存在于所述导体的所述下部与所述第二间隔件之间。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述保护层和所述第二介电层由不同的材料制成。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一介电层和所述第二介电层由相同的材料制成。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述保护层没有存在于所述导体的上部与所述第一介电层之间。

8.一种半导体结构，包括：

衬底；

至少一个栅极结构，存在于所述衬底上；

至少一个间隔件，存在于所述栅极结构的至少一个侧壁上；

至少一个掩模层，存在于所述栅极结构上；

至少一个源漏结构，邻近于所述间隔件；

至少一个底部导体，电连接至所述源漏结构；

至少一个保护层，存在于所

述底部导体与所述间隔件之间；

至少一个第一介电层，至少存在于所述掩模层上并且所述第一介电层具有开口，其中，所述底部导体通过所述开口至少部分暴露；以及

至少一个上部导体，通过所述第一介电层的所述开口电连接至所述底部导体并且至少覆盖所述保护层；以及

第二介电层，存在于所述底部导体与所述间隔件之间，其中，所述保护层存在于所述第二介电层之上，所述第二介电层包括从所述保护层至所述源漏结构连续延伸的相同材料，

所述保护层包括具有倾斜侧壁的倾斜上部、和具有竖直侧壁的竖直下部，所述倾斜上部的顶面与所述掩模层的顶面齐平，

所述倾斜侧壁与所述间隔件的接触面与所述上部导体的侧壁对齐，所述源漏结构的底面与所述栅极结构的底面齐平。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述保护层没有存在于所述第一介电层的所述开口中。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述保护层和所述第二介电层由不同的材料制成。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述保护层由氮化硅、氮氧化硅或它们的组合制成。