[发明专利]半导体结构及其形成方法、以及SRAM

说明书

一种半导体结构及其形成方法、以及SRAM，所述方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部，衬底包括传送门晶体管区；形成横跨鳍部的栅极结构，且栅极结构覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面；在传送门晶体管区栅极结构两侧鳍部内形成传送门掺杂区，且至少一侧的传送门掺杂区采用对鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成。本发明至少一侧的传送门掺杂区采用对鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成，相比两侧均采用外延层方式形成传送门掺杂区的方案，本发明增加了后续金属硅化物与传送门掺杂区的接触电阻，使所形成传送门晶体管的开态电流减小；SRAM贝塔比与传送门晶体管开态电流大小成反比，因此使SRAM读取冗余度得到改善。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、以及SRAM。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑、存储器和模拟电路，其中存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例。随着半导体技术发展，对存储器件进行更为广泛的应用，需要将所述存储器件与其他器件区同时形成在一个芯片上，以形成嵌入式半导体存储装置。例如将所述存储器件内嵌置于中央处理器，则需要使得所述存储器件与嵌入的中央处理器平台进行兼容，并且保持原有的存储器件的规格及对应的电学性能。

一般地，需要将所述存储器件与嵌入的标准逻辑装置进行兼容。对于嵌入式半导体器件来说，其通常分为逻辑区和存储区，逻辑区通常包括逻辑器件，存储区则包括存储器件。随着存储技术的发展，出现了各种类型的半导体存储器，例如静态随机存储器(StaticRandom Access Memory，SRAM)、动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only，EEPROM)和闪存(Flash)。由于静态随机存储器具有低功耗和较快工作速度等优点，使得静态随机存储器及其形成方法受到越来越多的关注。

然而，现有技术形成的半导体器件中静态随机存储器的性能有待进一步提高，使得半导体器件的整体性能较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法、以及SRAM，改善存储器的读取冗余度，从而提高所形成半导体器件的整体性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述衬底包括传送门晶体管区；形成横跨所述鳍部的栅极结构，且所述栅极结构覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面；在所述传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内形成传送门掺杂区，且至少一侧的传送门掺杂区采用对所述鳍部进行离子掺杂的非外延层方式形成。

相应的，本发明还提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述衬底包括传送门晶体管区；横跨所述鳍部的栅极结构，且所述栅极结构覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面；传送门掺杂区，位于所述传送门晶体管区栅极结构两侧的鳍部内；中，至少所述栅极结构一侧的传送门掺杂区为位于所述鳍部内的非外延层掺杂区。

相应的，本发明还提供一种SRAM，包括前述半导体结构。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：