[发明专利]空白掩模

说明书

技术领域

本发明实施例涉及一种空白掩模及掩模及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业已经历指数增长。IC材料及设计中的技术进步已产生数代IC，其中各代具有比前一代更小且更复杂的电路。在IC演进的进程中，功能密度(即，每一芯片面积的互连装置的数量)普遍增加，而几何形状大小(即，使用制造工艺可产生的最小组件或线)已减小。

此按比例缩小工艺通常通过增大生产效率及降低相关联成本而提供优势。此按比例缩小还增大处理及制造IC的复杂度。为了实现这些进步，需要在IC处理及制造中进行类似发展。例如，用于高分辨率光刻中以转印小型且复杂电路图案的掩模可能提出新的挑战。

发明内容

在本发明实施例中，具有经嵌入的蚀刻停止层的空白掩模适于形成具有凹槽的任何适当掩模，例如无铬相移光刻(CPL)掩模、相移掩模(PSM)(例如衰减相移掩模(AttPSM)及交替相移掩模(altPSM))或类似物。

在本发明实施例中，空白掩模或掩模具有与掩模衬底的材料光学及/或物理兼容的嵌入的蚀刻停止层，且因此，蚀刻停止层的光学特性(例如折射率)及/或物理特性(例如热膨胀系数)与衬底的材料的所述特性基本上相同。因此，图像失真及掩模翘曲最小化。经嵌入的蚀刻停止层使得可精确控制相移凹槽的深度且因此可精确控制相移值。

在一些实施例中，提供空白掩模。空白掩模包括衬底及嵌入所述衬底中的蚀刻停止层。蚀刻停止层具有彼此相对的第一表面及第二表面，且第一表面及第二表面被衬底覆盖。

在一些实施例中，提供掩模。掩模包括衬底、蚀刻停止层、多个凹槽及上覆层。蚀刻停止层嵌入所述衬底中。凹槽在衬底中，且定位于掩模的中心区中。上覆层在掩模的外围区中的衬底上方。

在一些实施例中，提供制造掩模的方法。所述方法包括接纳包括衬底及嵌入所述衬底中的蚀刻停止层的空白掩模，及在衬底中形成多个凹槽。

附图说明

当结合附图阅读时从下列实施方式最佳地理解本揭示的方面。注意，根据行业中的标准实践，各种构件未按比例绘制。事实上，为讨论清晰起见，各种构件的尺寸可任意增大或减小。

图1说明根据本发明实施例的各种方面的用于制造空白掩模的方法。

图2A、2B、2C、2D及2E是根据本发明的一些实施例的制造空白掩模的各种操作中的一者处的截面图。

图3说明空白掩模的薄膜厚度的测量结果。

图4说明根据本发明实施例的各种方面的用于制造掩模的方法。

图5A、5B、5C、5D、5E及5F是根据本发明的一些实施例的制造掩模的各种操作中的一者处的截面图。

图6是掩模的一些实施例的示意图。

具体实施方式

下列揭示内容提供用于实施所提供的标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。下文中描述组件及布置的特定实例以简化本揭示。当然，这些仅为实例且不希望具限制性。例如，在下列描述中第一构件在第二构件上方或其上形成可包含所述第一构件及所述第二构件直接接触形成的实施例，且还可包含额外构件可形成于所述第一构件与所述第二构件之间，使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本发明实施例可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复出于简化及清晰的目的，且本身不规定所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为便于描述，空间关系术语例如“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……上”及类似术语在本文中可用于描述一个元件或构件与图中说明的另一元件或构件的关系。空间关系术语除涵盖在图中描绘的定向之外，还希望涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式(旋转90度或按其它定向)进行定向且相应地可同样解释本文中使用的空间关系描述词。

在本发明实施例中，提供具有嵌入式蚀刻停止层的空白掩模或掩模。蚀刻停止层与掩模衬底的材料光学及/或物理兼容，且因此，蚀刻停止层的光学特性(例如折射率)及/或物理特性(例如热膨胀系数)与衬底的材料的所述特性基本上相同。因此，图像失真及掩模翘曲最小化。嵌入式蚀刻停止层使得可精确控制相移凹槽的深度而不影响掩模的光学特性。