[发明专利]用于先进光刻的薄膜组件和方法有效
申请号: | 201611063636.6 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN107015431B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 陈炫辰;林云跃;连大成;李信昌;林志诚;陈政宏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/62 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 先进 光刻 薄膜 组件 方法 | ||
1.一种用于半导体光刻工艺的装置,包括:
薄膜,具有导热表面;
多孔薄膜框架,其中,所述多孔薄膜框架包括从所述多孔薄膜框架的外表面连续延伸至所述多孔薄膜框架的内表面的多个孔道,所述多孔薄膜框架包括选自由金属、合金和陶瓷材料构成的组的多孔材料,其中,所述多孔材料包括选自由BN、BC以及它们的组合构成的组的材料;以及
导热粘合层,将所述薄膜固定至所述多孔薄膜框架,其中,所述导热粘合层包括粘合组分和在所述粘合组分中分散的导热颗粒,在所述导热粘合层中导热颗粒填充率从0.1%至74%,所述导热颗粒呈伸长的形状且沿着所述导热粘合层的厚度方向对准。
2.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述多个孔道被随机地配置:
所述多个孔道的每个孔道从所述多孔薄膜框架的所述外表面上的第一开口延伸至所述多孔薄膜框架的所述内表面上的第二开口;以及
所述多个孔道的所述每个孔道从所述外表面至所述内表面具有随机变化的直径。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述薄膜包括多晶硅,非晶硅,掺杂硅或硅基化合物的透明层。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述薄膜进一步包括在所述透明层上方的第一覆盖层和在所述第一覆盖层上方的第一导热层,其中所述第一导热层和所述第一覆盖层具有不同的材料。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述多孔薄膜框架是由选自由液相烧结、固相烧结、蒸发烧结和它们的组合构成的组的技术制造的。
6.根据权利要求1所述的装置,还包括:
掩模,包括图案化的表面;以及
另一导热粘合层,将所述掩模固定至所述多孔薄膜框架,其中,所述薄膜框架安装在所述掩模上,并且其中,所述薄膜远离所述图案化的表面悬置相隔距离,以及其中,内部空间由所述薄膜的底面、所述掩模的顶面以及所述薄膜框架的所述内表面限定。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,具有可调节的孔尺寸的所述多个孔道被调节以防止颗粒进入所述内部空间,且其中,所述多个孔道被配置为在所述内部空间和围绕所述装置的空间之间提供压力均衡。
8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置用于远紫外光刻系统且在光刻曝光工艺期间保持在真空环境中。
9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述薄膜包括:
选自包括pSi、a-Si、SiCN、和SiP石墨烯构成的组的材料的低透射率材料层;以及
在所述低透射率材料层上设置的导热材料层,其中,所述导热材料层包括选自由Ru、Ir、碳基材料、Cu、Ni、Fe和它们的组合构成的组的材料。
10.根据权利要求9所述的装置,其中,所述碳基材料包括石墨、石墨烯、金刚石和纳米管中的一种。
11.根据权利要求1所述的装置,其中,所述导热粘合层包括在粘合聚合物中设置的导热填充物。
12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述导热填充物包括金属、金属合金、导热陶瓷材料、导热聚合物和导热化合物中的一种。
13.根据权利要求11所述的装置,其中,所述导热填充物包括Al、Ag、AlO、AlN、BN、碳、Be、B4C、SiC和它们的混合材料中的一种。
14.根据权利要求13所述的装置,其中,所述碳为石墨烯、纳米管或石墨片。
15.根据权利要求11所述的装置,其中,所述粘合聚合物包括苯乙烯乙烯/丁烯苯乙烯橡胶、聚酯类热塑性弹性体、聚醚氨酯、聚烯烃型热塑性弹性体或热塑性硫化橡胶中的一种。
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