[发明专利]粘接片、切割带一体型粘接片及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种粘接片，其特征在于，含有银被覆铜系填料、银填料和热塑性树脂，

所述银被覆铜系填料为薄片状，并且平均长径为0.7μm以上，

所述银填料的一次粒径为500nm以下，

设所述银被覆铜系填料的重量为C、设所述银填料的重量为D时，比C:D在9:1～5:5的范围内，

所述银被覆铜系填料中的银的被覆量相对于所述银被覆铜系填料整体的重量为5～30重量％。

2.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，热固化后在260℃下的储能模量为10～700MPa。

3.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，设粘接于铜引线框、在200℃下加热1小时后在260℃下的相对于所述铜引线框的剪切粘接力为A，设粘接于镀银的铜引线框、在200℃下加热1小时后在260℃下的相对于所述镀银的铜引线框的剪切粘接力为B时，B/A为1.1以上。

4.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，在200℃下加热1小时后的片厚度方向的导热率为3W/m·K以上。

5.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，所述银被覆铜系填料的比表面积在0.5～1.5m²/g的范围内。

6.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，设所述银被覆铜系填料的个数换算平均粒径为E、设体积换算平均粒径为F时，F/E为10以下。

7.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，含有环氧树脂。

8.根据权利要求7所述的粘接片，其特征在于，所述环氧树脂具有挠性骨架。

9.根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于，含有分散剂。

10.根据权利要求9所述的粘接片，其特征在于，所述分散剂为具有羧酸基、酸值为20以上、重均分子量为1000以上的丙烯酸类共聚物。

11.一种切割带一体型粘接片，其特征在于，具有切割带和权利要求1～10中的任一项所述的粘接片，

在所述切割带上层叠有所述粘接片。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括下述工序：

准备权利要求11所述的切割带一体型粘接片的工序；

在所述切割带一体型粘接片上粘贴半导体晶圆的工序；

将所述半导体晶圆与所述粘接片一起切割而形成带粘接片的半导体芯片的工序；

从所述切割带拾取所述带粘接片的半导体芯片的工序；以及，

将拾取的所述带粘接片的半导体芯片芯片接合到被粘物上的工序。