[发明专利]一种钐钴基复合磁性材料制备方法及钐钴基复合磁性材料

权利要求书

1.一种钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)、合金基体的原料进行熔炼、浇铸得到至少一种铸锭；2)、氢破，对应铸锭得到至少一种氢破粉；3)、气流磨，包括向一种氢破粉中添加外加稀土氧化物再进行气流磨；4)、磁粉混合；5)、取向成型、冷等静压、热处理得到钐钴基复合磁性材料；

所述步骤1)中得到的铸锭包括主合金铸锭A和辅合金铸锭B，其中主合金铸锭A的化学原子计量式为(SmR₁)(CoM₁)z，其中R₁为Y、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或几种，M₁为Fe、Cu、Zr、Mn、Ni、Ti、V、Cr、Zn、Nb、Mo、Hf、W和Sn中的一种或多种，z在4.0～9.0之间；辅合金铸锭B的化学原子计量式为(SmR₂)(CoM₂)y，其中R₂为Y、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或几种，M₂为Fe、Cu、Zr、Mn、Ni、Ti、V、Cr、Zn、Nb、Mo、Hf、W和Sn中的一种或多种，y在0.3～1之间。

2.根据权利要求1所述的钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，所述步骤5)中热处理为将冷等静压得到的毛坯升温至1100℃～1250℃热处理1小时～6小时，再按0.1℃/min～4℃/min的冷却速度降至800℃～1200℃保温0小时～5小时并风冷到室温。

3.根据权利要求1所述的钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，所述步骤5)中热处理为将冷等静压得到的毛坯升温至1100℃～1250℃热处理1小时～6小时，再按0.1℃/min～4℃/min的冷却速度降至800℃～1200℃保温0小时～15小时并风冷到室温，再于750℃～900℃下保温5小时～40小时，再按0.1℃/min～4℃/min的冷却速度慢冷至350℃～600℃并保温0小时～10小时，再风冷至室温。

4.根据权利要求1所述的钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，步骤2)中所述主合金铸锭A和辅合金铸锭B分别通过氢破工艺得到氢破粉A和氢破粉B，其中氢破粉A和氢破粉B中至少一种的平均粒径为10微米～500微米。

5.根据权利要求4所述的钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，所述步骤2)氢破工艺为铸锭在吸氢温度为10℃～180℃，氢压为0.2MPa～0.5MPa的条件下吸氢2小时～5小时，然后在200℃～600℃真空脱氢2小时～5小时进行。

6.根据权利要求4所述的钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，在步骤3)中，氢破粉A还与适量外加稀土氧化物混合搅拌后进行气流磨，得到磁粉D。

7.根据权利要求6所述的钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，所述磁粉D的平均粒径为2微米-6微米。

8.根据权利要求6所述的钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，在步骤3)中，氢破粉B进行气流磨，得到平均粒径为2微米～6微米的磁粉B。

9.根据权利要求8所述的钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，在步骤4)中，磁粉混合为将锡粉和/或磁粉B与磁粉D共混3-6小时得到磁粉F。

10.根据权利要求9所述的钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，在步骤4)中，当锡粉、磁粉B与磁粉D三者共存时，以钐钴基复合磁性材料总原料的质量分数计，锡粉添加量为0.1wt％～10wt％，磁粉B的添加量为0.1wt％～10wt％，并且两者总的添加量为0.2wt％～10wt％。

11.根据权利要求10所述的钐钴基复合磁性材料制备方法，其特征在于，钐钴基复合磁性材料的原料锡粉的平均粒径为3微米～400微米。