[发明专利]一种考虑版图环境的电阻模型提取方法及系统

说明书

本发明公开了一种考虑版图环境的电阻模型提取方法及系统，该方法包括如下步骤：设计不同周围环境下的电阻器件结构；测量电阻器件的在不同的电压时的电流数据；建立基本电阻模型，获取电阻模型参数；调整基本电阻模型中的参数，进行曲线拟合；于拟合结果满足要求时，建立及修改与周围环境相关的电阻模型；调整与周围环境相关的电阻模型中与周围环境相关的参数，进行曲线拟合，通过本发明，可以更加准确表征电阻在不同周围环境下的特性，建立更为精准且实用性更广的电阻模型。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种考虑版图环境的电阻模型提取方法及系统。

背景技术

随着半导体制造技术的不断进步，CMOS工艺器件制造工艺已经发展到了纳米级，目前最小尺寸已经缩减到20纳米，而且10纳米的研发已经提上日程。随着制造技术的发展，器件的电学特性不再只受它自身的一些物理参数影响，其周围的器件环境也对器件自身的电学特性影响越来越大。对于电阻模型而言，其器件的周围环境从版图上来看就是不同dummy的距离及密度的关系。在先进工艺里面，电阻不同的周围环境，使其对电阻本体器件有不同的影响，从而造成对电阻的特性影响不同。

电阻是逻辑及模拟电路中的重要无源器件。当设计者在设计时考虑电阻在不同的周边环境下的器件性能，对其设计时也是很大帮助的，所以引入一个精确的电阻模型对于电路设计工程师来说，越来越重要了。在旧有的电阻模型里，现有的电阻模型架构一般采用如下公式：

R＝R_Sh*f(w，l，V，T)

其中，R_Sh，w，l，V，T分别为方块电阻、电阻的宽度、长度、电压、温度。d1、dw为与器件尺寸相关的因子，V_C1，V_C2为电压系数，T_C1，T_C2为温度系数。

可见，该电阻模型仅与尺寸、电压、温度相关，没有考虑周围环境(dummy)对电阻模型的影响，而在实际工艺里面，不同的周围环境对电阻的影响是有差别的，(比如不同周边环境，使得器件的吸热效果不同，从而对其器件内部的晶体结构及工艺里面的CD影响不同)，这就导致了与实际电阻使用情况时出现一定的偏差。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种考虑版图环境的电阻模型提取方法及系统，其在原有仅与尺寸、电压相关的电阻模型的基础上，增加了与周围环境(dummy)相关的函数，就可以更加准确表征电阻在不同周围环境下的特性，建立更为精准且实用性更广的电阻模型。

为达上述及其它目的，本发明提出一种考虑版图环境的电阻模型提取方法，包括如下步骤：

步骤一，设计不同周围环境下的电阻器件结构；

步骤二，测量电阻器件的在不同的电压时的电流数据；

步骤三，建立基本电阻模型，获取电阻模型参数；

步骤四，调整基本电阻模型中的参数，进行曲线拟合；

步骤五，于拟合结果满足要求时，建立及修改与周围环境相关的电阻模型；

步骤六，调整与周围环境相关的电阻模型中与周围环境相关的参数，进行曲线拟合。

进一步地，于步骤四中，调整基本电阻模型中的尺寸/电压/温度相关的数据进行曲线拟合。

进一步地，于步骤四中，若拟合结果不满足要求，则返回步骤三。

进一步地，于步骤六后，还包括如下步骤：

若拟合结果满足要求，则该与周围环境相关的电阻模型进行模型验证。

进一步地，若拟合结果不满足要求，则返回步骤五。