[发明专利]采用聚焦离子束的电路跟踪

说明书

用于通过采用聚焦离子束成像技术跟踪在集成电路上的电子线路的方法和系统。在集成电路上的第一组件或节点被连接到一集成电路上的第二组件或节点。在一个外部偏压被施加到所述第一组件或节点，一聚焦离子束被施加到所述集成电路，并且使用一个电子探测器采集图像。连接到第二组件的，在集成电路上的特征或组件将会在结果图像上产生高对比度。该方法还包括施加一个偏压给一个节点或组件，并且随后使用聚焦离子束技术(通过一电子探测器)以达成该集成电路的图案。连接到该节点的组件会在结果图像上呈现高对比度。

技术领域

本发明涉及一种电路跟踪。更具体地说本发明涉及用于通过采用聚焦离子束跟踪在集成电路上的电路连接来捕捉电路图像的方法和系统。

背景技术

二十世纪晚期到二十一世纪早期的技术革命注重于企业的智慧。公司，尤其是那些从事高技术，试图确定对手将把什么技术应用于他们的最新产品的公司。为此，集成电路，特别是高价值，切削刃的微芯片，不断被进行反向工程，分析解剖，以确定它们的内部结构和互连是怎样的。

目前，集成电路的解剖和分析涉及到一个艰苦的费力的过程。多层芯片的每一层都是仔细暴露，然后创建成像。产生马赛克图像并且，然后费力地追溯该痕迹，确定哪些特征与组件是互连的。可以想象，只是为了确保感兴趣的特征被覆盖，这种资源密集的过程导致错误的特征和可能不感兴趣的区域被成像分析，

因此，需要一个系统，方法，和设备可以减少跟踪集成电路上的电路和电子线路的互连所需要的精力。

发明内容

本发明提供用于通过采用聚焦离子束成像技术跟踪在集成电路上的电子线路的方法和系统。在集成电路上的第一组件或节点被连接到在同一集成电路上的第二组件或节点。然后，一个外部偏压被施加到所述第一组件或节点。一聚焦离子束被施加到所述集成电路，并且使用一个电子探测器采集图像。在集成电路上的连接到第二组件的特征或组件将会在结果图像上产生高对比度。该方法可以使用在迭代过程中，该迭代过程用以识别在集成电路上的哪个组件与哪个特征相连接。该方法还包括施加一个偏压给一个节点或组件，并且随后使用聚焦离子束成像技术(通过一电子探测器)以获得该集成电路的图案。连接到该被施加了偏压的节点或组件的其他组件或节点会在结果图像上呈现高对比度。

根据本发明的第一个方面，提供一种用于集成电路上的成像电路的方法，该方法包括：

a.将所述集成电路的第一零件连接到所述集成电路的第二零件；

b.施加一个偏压到所述第一零件；

c.使所述集成电路暴露于一聚焦离子束下；以及

d.使用电子探测器采集集成电路的图像；

其中，所述第一零件和所述第二零件不是通过所述集成电路连接的；和

其中，在步骤d采集的图像具有至少一部分相对于图像中的其余部分呈现高对比度，所述至少一部分是所述集成电路的一部分，该部分是连接到所述集成电路的所述第二零件。

根据本发明的第二个方面，提供一种用于跟踪在一集成电路中的相互连接的方法，该方法包括：

a.移除所述集成电路的层以暴露所述集成电路的部件；

b.将所述集成电路的第一节点连接到所述集成电路的第二节点；

c.施加一个外部偏压到所述第一节点；

d.使用聚焦离子束和电子探测器捕获所述集成电路的至少一部分的图像；

e.确定集成电路上的哪些组件在图像上被标注为高对比度；

其中，在步骤b之前，所述第一节点和第二节点不通过所述集成电路彼此连接。

根据本发明的第三个方面，提供一种用于集成电路上的成像电路的方法，该方法包括：