[发明专利]一种带有溢流腔的尾气处理装置有效
申请号: | 201611060006.3 | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN108097016B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 赵旭良;金嵩 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | B01D53/78 | 分类号: | B01D53/78;B01D53/72 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 刘星 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 溢流 尾气 处理 装置 | ||
本发明提供一种带有溢流腔的尾气处理装置,包括:水槽;所述水槽上部设有进气口及出气口;设于所述水槽一侧的溢流腔,与所述溢流腔之间通过隔板隔离,当所述水槽内的液体水位到达隔板顶部时,液体表面的絮状硅化物可越过隔板流入所述溢流腔内;设于所述溢流腔上部的至少一个喷头,用于喷射水流以打碎进入溢流腔的絮状硅化物;设于所述溢流腔下部的排放口,用于排出硅化物;与所述排放口连接的电磁阀,用于开启或关闭所述排放口。本发明通过在水槽一侧增加一个溢流腔,让絮状硅化物可以直接从水面上流入溢流腔内,并有效排出尾气处理器内部,可以大大延长PM周期,提高外延的经济效益,并具有结构简单,效果显著、使用成本低、维护便捷等优点。
技术领域
本发明属于半导体制造领域,涉及一种带有溢流腔的尾气处理装置。
背景技术
常压外延工艺中需要大量的HCl,三氯氢硅(TCS),B2H6,PH3,H2等特殊气体。外延用尾气处理器是专门设计处理外延尾气废气的装置。通过外延炉的排气管和尾气处理器的进气口连接,外延废气进入尾气处理内发生反应,然后排出无污染的气体。
一般的尾气处理装置包括燃烧式、水洗式等。水洗式通过尾气处理器的排气口和一个特制的文氏管连接,依靠文氏管提供的负压,使得外延炉内的工艺气体被抽入尾气处理器内。在尾气处理器内,外延废气中的HCl,TCS,B2H6,PH3经过不断的水洗,充分和水发生反应而被去除。剩余的H2、N2被空气稀释后排到空气中。尾气处理器需要预防性维护(Preventive Maintenance,PM)的最大原因就是其中TCS(三氯氢硅)和水的反应生成的Si2H2O2为粉末状固体,随着时间的延长,这些粉末会聚集,生成白色絮状物,从而影响负压值,这时就需要对尾气处理器(scrubber)进行预防性维护。
现有技术中有两种方式处理絮状物:如图1所示为间接溢流,能带出极少量的絮状物,因为絮状物基本是漂浮在水面上,溢流口不和水面直接相通,无法达到大量去除絮状物。还有一种就是加大水箱体积,这样可以多积聚絮状物,延长PM周期;缺点是占地面积大,用水量大,成本高,维护繁琐。
因此,如何提供一种新的尾气处理装置,以高效去除絮状硅化物,延长尾气处理装置的预防性维护周期,并降低使用成本,成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种带有溢流腔的尾气处理装置,用于解决现有技术中絮状硅化物去除效率不高,且成本较高、维护繁琐的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种带有溢流腔的尾气处理装置,包括:
水槽;所述水槽上部设有进气口及出气口;
设于所述水槽一侧的溢流腔;所述水槽与所述溢流腔之间通过隔板隔离,当所述水槽内的液体水位到达所述隔板顶部时,液体表面的絮状硅化物可越过所述隔板流入所述溢流腔内;
设于所述溢流腔上部的至少一个喷头,用于喷射水流以打碎进入所述溢流腔的絮状硅化物;
设于所述溢流腔下部的排放口,用于排出硅化物;
与所述排放口连接的电磁阀,用于开启或关闭所述排放口。
可选地,所述溢流腔还连接有第一液位传感器及第二液位传感器,其中,所述第一液位传感器高于所述第二液位传感器,当所述溢流腔内的水位到达第一液位并触发所述第一液位传感器时,所述电磁阀启动,使所述排放口开启;当所述溢流腔内的水位下降到第二液位并触发所述第二传感器时,所述电磁阀关闭,使所述排放口关闭。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司,未经上海新昇半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611060006.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。