[发明专利]一种消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法有效
| 申请号: | 201611056981.7 | 申请日: | 2016-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN108097909B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
| 发明(设计)人: | 姜卫国;肖久寒;王莉;张功;楼琅洪;张健 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号: | B22D17/00 | 分类号: | B22D17/00;B22D27/04 |
| 代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人: | 崔晓蕾 |
| 地址: | 110015 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 消除 高温 合金 铸件 再结晶 工艺 方法 | ||
1.一种消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法,其特征在于:在铸造前,通过引入与单晶铸件相连的工艺辅助部分,使该工艺辅助部分与铸件成为一个新的铸造构件且为铸件结构强度的最弱部位,并在铸件热处理后将该工艺辅助部分切除,得到完整的无再结晶的单晶铸件;
该方法所用浇注系统包括浇口杯(1)、直浇道(2)、底盘(3)、选晶器(4)、引晶条(5)、工艺辅助部分(6)、单晶铸件(7)以及排气道(8);
其中,浇口杯(1)通过直浇道(2)与底盘(3)相连通,底盘(3)上设有选晶器(4),选晶器(4)通过引晶条(5)与设在单晶铸件(7)底部的工艺辅助部分(6)相连接,单晶铸件(7)上还设有排气道(8);工艺辅助部分(6)与单晶铸件(7)的蜡模由模具整体注射成型。
2.按照权利要求1所述消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法,其特征在于:所述注射成型压力为0.2-0.8MPa,注射时间20-90秒,保压时间10-90秒。
3.按照权利要求1所述消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法,其特征在于:所述选晶器(4)为螺旋式选晶器,由起晶段(4-1)、选晶段(4-2)以及过渡段(4-3)组成,其中起晶段(4-1)的高度为10-30mm,直径为5-20mm;选晶段(4-2)为螺旋形,其直径为2-5mm;过渡段(4-3)的厚度为2-10mm。
4.按照权利要求1所述消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法,其特征在于:所述引晶条(5)的截面形状为圆形、正方形或长方形,其中圆形直径为2-10mm,正方形边长为2-10mm,长方形边长为3-15×2-10mm,引晶条(5)的长度为10-100mm。
5.按照权利要求1所述消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法,其特征在于:所述工艺辅助部分(6)的截面形状为圆形、正方形或长方形,其中圆形直径为2-10mm,正方形边长为2-10mm,长方形边长为3-15×2-10mm;工艺辅助部分(6)的长度为10-100mm。
6.按照权利要求1所述消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法,其特征在于:所述单晶铸件(7)模壳制备采用氧化铝涂料及氧化铝壳料制备。
7.按照权利要求6所述消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法,其特征在于:所述单晶铸件(7)的模壳脱蜡采用蒸汽脱蜡,脱蜡压力为6-8个大气压,脱蜡时间为5-15秒,脱蜡温度为160-180℃;模壳脱蜡后进行焙烧,焙烧温度为890-1050℃。
8.按照权利要求1所述消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法,其特征在于:所述单晶铸件(7)采用PWA1483、PWA1484、CMSX-4、CMSX-10或DD33合金单晶材料。
9.按照权利要求1所述消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法,其特征在于:所述单晶铸件(7)采用定向凝固方法制备,制备单晶铸件(7)的浇注温度为1480-1550℃,保温炉的温度为1450-1540℃,凝固拉速为3-9mm/min。
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