[发明专利]一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法

权利要求书

1.一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：

a.对晶片的长宽尺寸重新设计，消除晶片的寄生杂波；

b.设计石英晶片在研磨机上进行粗、中、细精细研磨间的频率预留量，消除上道研磨工序造成的晶片表面破坏层；

c.根据设定的返回频率得出合适的腐蚀频率后，利用酸性溶液对研磨后的石英晶片进行深度腐蚀；

d.在低真空条件下，采用氮离子对石英晶片的表面进行轰击，清洁石英晶片的表面；

e.对电极尺寸重新设计，进一步抑制电极尺寸寄生波的产生；

f. 通过石英晶片的腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度之后进行镀膜，形成引出电极，并使其频率达到规定范围；

g.将镀膜后的石英晶片装在基座上，点上导电胶并高温固化，得到所49S石英晶体谐振器。

2.根据权利要求1所述的一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

h.使用干式清洗装置对石英晶片上的附着异物进行进一步扫除；

i.采用氩离子轰击晶体表面的电极，将多余的膜层材料打下来；

j.将基座与外壳放置在充满氮气的环境中进行封焊。

3.根据权利要求1所述的一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤a中，所述晶片尺寸设计为6.490×1.730。

4.根据权利要求1所述的一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤e中，所述电极包括上电极和下电极，所述上电极的设计尺寸为6.5×1.75×0.06×2.2×1.4，可有效抑制寄生波所述下电极的设计尺寸为6.5×1.75×0.06×2.49×1.65。

5.根据权利要求1所述的一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤b中，所述频率预留量设计为WA4000#23750±100

KHz。

6.根据权利要求1所述的一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤c中，所述返回频率由以下公式推导可得：

Δ=2*ρe*ζe/ρ*tF，式中，ρe为电极金属的密度、ζe单面电极的厚度、ρ为水晶的密度、 T_f为腐蚀后石英片的厚度。

7.根据权利要求1所述的一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤c中，所述腐蚀厚度为0.04mm，所述酸性溶液为HF溶液或NH₄HF₂溶液中的至少一种,所述酸性溶液的工作温度为65°C。

8.根据权利要求1所述的一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤c与所述步骤d之间还包括用清水对腐蚀过的石英晶片进行清洗并烘干的步骤。

9.根据权利要求1所述的一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述步骤d中，所述低真空条件是指1pa～2pa的压力下。

10.根据权利要求7所述的一种消除寄生振荡的49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：所述腐蚀频率为24400KHz。