[发明专利]一种薄膜晶体管的栅极断线修补方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的故障处理方法，尤其涉及一种薄膜晶体管的栅极外围配线的断线修补方法。

背景技术

薄膜晶体管结构如图1所示，从底部向上依次设置衬底、栅极(Gate)、栅绝缘(GI)层、刻蚀阻挡(ES)层、以及设置在刻蚀阻挡层上的源极(Source)和漏极(Drain)。标准的薄膜晶体管的外围如图2所示，但是在实际生产中，由于技术人员修补错误、前程漏检以及后站造成等原因，可能会造成栅极断线，如图3所示。通过统计模组近一个半月55寸的源极和栅极的端子断线不良率约3％，如图4所示。现有的断线修正装置(Laser CVD Repair Equipment，RVD)只能在当层修补，无法跨层别修补---即源极层无法修栅极层的断线。若断线无法修正，则会导致小片panel报废，造成较大浪费，问题亟待解决。

发明内容

一种薄膜晶体管的栅极断线修补方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

(1)在薄膜晶体管的栅极断线处的两端定位两个点；

(2)在定位到的两个点上，分别采用激光穿透该点的刻蚀阻挡层和栅绝缘层进行打孔，当孔到达栅极所在层时停止，形成孔1和孔2；

(3)采用激光化学气相沉积法从孔1的位置开始沿薄膜晶体管的外表面注膜，到达孔2的位置时停止，在两孔之间形成一层注膜层，从而使孔1和孔2电气连接。

其中，孔1和孔2的底部位于栅绝缘层和底衬层之间，且孔1和孔2从外向内开口的直径依次减小，从而形成倒角形。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明可以对薄膜晶体管的栅极外围配线的断线进行修补，实现了跨层修补。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是薄膜晶体管的内部结构示意图；

图2是薄膜晶体管的外围结构示意图；

图3是薄膜晶体管的断线示意图；

图4是薄膜晶体管的断线率示意图；

图5是采用本发明的方法修补断线前和后的对比图；

图6是采用本发明的方法修补断线的实际效果图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图5(a)为断线的薄膜晶体管结构，可以看出，中间有一个栅极断线处，使栅极不能联通。为了修补该断线，采用本实施例的方法，具体为：

(1)在薄膜晶体管的栅极断线处的两端定位两个点。

(2)在定位到的两个点上，分别采用激光穿透该点的刻蚀阻挡层和栅绝缘层进行打孔，当孔到达栅极所在层时停止，形成孔1和孔2。

其中，两孔的位置如图5(b)和6(a)所示，两孔位于栅极断线处的两端，孔1和孔2的底部位于栅绝缘层和底衬层之间，不能太靠近底衬。孔1和孔2从外向内开口的直径依次减小，从而形成倒角形。孔的倒角形可以保证注膜面积最大；通过LCV能量大小来控制倒角；注膜面积越大，可增加有效连线搭接面积。

(3)采用激光化学气相沉积法(LCV)从孔1的位置开始沿薄膜晶体管的外表面注膜，到达孔2的位置时停止，在两孔之间形成一层注膜层，从而使孔1和孔2电气连接，如图5(c)和6(b)所示。

注膜层在外表面将孔1和孔2电气连接，即联通了栅极断线处的两点，从而实现了修补的目的。

以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。