[发明专利]一种自产热装置及自产热装置的制作方法

权利要求书

1.一种自产热装置，其特征在于，所述装置包括：能量拾取器(2000)和发热装置(3000)；

所述能量拾取器(2000)，用来拾取使用对象在运动过程中的动能，包括悬臂梁支撑的质量块(4000)和压电器件(5000)：

所述压电器件(5000)，位于玻璃衬底(2007)之上，利用压电效应将动能转化成电能；

所述悬臂梁支撑的质量块(4000)，用于感知使用对象的运动并产生位移碰撞所述压电器件(5000)，玻璃衬底(2007)经共晶键合技术固接在质量块(4000)两侧；所述悬臂梁支撑的质量块(4000)的材料为硅，包括：支撑结构(2001)、悬臂梁(2002)和质量块(2003)；所述质量块(2003)与所述支撑结构(2001)通过所述悬臂梁(2002)连接；所述质量块(2003)用于拾取使用对象的动能；所述质量块(2003)依靠支撑结构(2001)和所述悬臂梁(2002)产生振动，触碰所述压电器件(5000)产生压电效应；

所述的发热装置(3000)位于玻璃衬底(2007)之上，包括金电极(3002)和铟锡氧化物薄膜(3001)；所述金电极(3002)设置在所述铟锡氧化物薄膜(3001)和所述玻璃衬底(2007)之间；所述铟锡氧化物薄膜(3001)通过剥离工艺制备，厚度为0.1um；

所述发热装置(3000)，与所述能量拾取器(2000)通过金属引线连接，用于根据所述动能产生热量。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述压电器件(5000)为三明治结构，所述压电器件(5000)包括第一电极(2004)、压电层(2006)和第二电极(2005)。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述悬臂梁支撑的质量块(4000)采用氢氧化钾(KOH)湿法腐蚀和深反应离子刻蚀(DRIE)干法刻蚀得到。

4.一种自产热装置的制作方法，用于如权利要求1-3任一项所述的自产热装置中，其特征在于，包括：

在清洗后的硅片(4003)上热生长氧化硅(4002)，并采用化学气相淀积的方法沉积氮化硅(4001)；

分别腐蚀所述氮化硅(4001)和所述氧化硅(4002)；

由所述氮化硅(4001)和所述氧化硅(4002)保护支撑架(2001)，及所述氧化硅(4002)保护质量块(2003)，并对所述硅片(4003)刻蚀；

由所述氧化硅(4002)保护支撑架(2001)，并分别刻蚀悬臂梁(2002)和所述质量块(2003)，制备悬臂梁支撑质量块(4000)；

由阴影掩膜版(Shadow Mask)实现共晶键合的金(6000)图形，完成悬臂梁支撑的质量块(4000)的制备；

清洗玻璃衬底(2007)；

溅射形成金薄膜，并对所述金薄膜光刻、腐蚀形成压电器件的第一电极(2004)和发热装置(3000)的电极(3002)；

溅射形成氧化锌薄膜，并腐蚀所述氧化锌薄膜形成所述压电器件(5000)的压电层(2006)；

通过剥离工艺制备所述发热装置(3000)的铟锡氧化物薄膜(3001)；

利用剥离工艺制备所述压电器件(5000)的第二电极(2005)和所述共晶键合的金(6000)图形；

通过共晶键合的方式将所述玻璃衬底(2007)和所述支撑架(2001)固定在一起。