[发明专利]用于超大规模集成电路设备的经优化的波长光子发射显微镜在审

专利信息
申请号: 201611048107.9 申请日: 2016-10-08
公开(公告)号: CN106842537A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: H·德朗德 申请(专利权)人: FEI公司
主分类号: G02B21/36 分类号: G02B21/36;G01R31/311;G01R31/28;G01R31/265
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 王英,刘炳胜
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 超大规模集成电路 设备 优化 波长 光子 发射 显微镜
【权利要求书】:

1.一种用于测试集成电路(DUT)的方法,包括:

将所述DUT放置在测试器上,所述测试器具有定义光学路径的光学布置并且具有成像器;

将光学滤波器插入到所述光学路径中,所述光学滤波器被配置为阻挡在定义的截止波长之外的光到达所述成像器;

对通过所述光学滤波器的、来自所述DUT的光子发射进行成像;

从所述光学路径中移除所述光学滤波器,并且在没有所述光学滤波器的情况下对来自所述DUT的光子发射进行成像;

比较在有和没有所述光学滤波器的情况下的所述成像,从而识别在所述DUT内的元件的具体故障类型。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光学滤波器包括中心在1150nm处、具有300nm的带宽的带通滤波器。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光学滤波器包括具有选自如下项的截止的短通滤波器:1300nm、1550nm、1800nm、1900nm和2000nm。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光学滤波器包括具有在1550nm处的截止的短通。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述成像器具有在900nm处截断的低波长。

6.根据权利要求1所述的方法,还包括将冷光圈插入到所述光学路径中。

7.根据权利要求6所述的方法,还包括将延迟透镜插入到所述光学路径中。

8.一种用于对半导体设备(DUT)进行发射测试的方法,包括如下步骤:

将所述DUT安装到发射测试器的测试工作台上,所述发射测试器具有光学探测器;

将所述DUT电连接至电测试器;

将电测试信号施加至所述DUT,同时保持测试参数恒定;

将光学滤波器插入到所述发射测试器的光学路径中,并收集来自所述光学探测器的发射测试信号;

将所述光学滤波器从所述发射测试器的所述光学路径中移除,并收集来自所述光学探测器的发射测试信号;

比较在有和没有所述光学滤波器的情况下所获得的所述发射测试信号,以识别所述DUT中的故障电路元件。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述光学滤波器被选择为具有选自如下项的截止波长:1550nm、1800nm、1900nm和2000nm。

10.根据权利要求8所述的方法,其中,短通滤波器被选择为提供从900nm至2200nm的波长的波谱覆盖。

11.根据权利要求8所述的方法,还包括在将所述光学滤波器插入到所述光学路径中之前执行如下步骤:

设置电压Vdd,并在所述电压Vdd处将电测试信号施加至所述DUT,同时保持测试参数恒定;

将多个光学滤波器中的一个光学滤波器序列地插入到所述发射测试器的光学路径中,并收集来自所述光学探测器的发射测试信号,直到所有可用的光学滤波器已经被插入到所述光学路径中;

选择所述光学滤波器中产生最高信噪比的一个光学滤波器作为要在对所述DUT的所述测试期间被插入到所述光学路径中的所述光学滤波器。

12.根据权利要求11所述的方法,还包括:针对多个测试电压Vdd中的每个测试电压,生成信噪比相对于波长的一幅图。

13.根据权利要求11所述的方法,其中,保持测试参数恒定包括保持所述DUT的温度恒定。

14.根据权利要求11所述的方法,其中,保持测试参数恒定包括保持所述DUT的电压Vdd恒定。

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