[发明专利]一种增强OPC处理精度的方法有效
申请号: | 201611047406.0 | 申请日: | 2016-11-22 |
公开(公告)号: | CN106707681B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 孟鸿林;魏芳;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20;G06F17/50 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;张磊 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理效率 传统设计 减少系统 热点分析 图形修正 重复图形 复杂度 库信息 冗余性 判定 兼容 修正 升级 出版 检查 | ||
1.一种增强OPC处理精度的方法,其特征在于,利用一包含EDA软件和计算机硬件的信息处理及反馈系统实施,包括以下步骤:
步骤101:根据不同工艺平台的特点,OPC的出版层次和检查数据结果,以及出版热点对应的硅片验证数据,建立MEEF值在设定值以上的工艺热点库图形A0,并根据工艺热点的表现情况对工艺热点实施分级处理,从而将这些图形A0存储在系统中;所述MEEF的设定值为不小于1.5;
步骤102:通过系统读入需要处理的原始图形B0,并与工艺热点库中的图形A0进行相似度检查和相似度判定;
步骤103:通过系统开始对需要处理的原始图形B0进行OPC修正,并预测OPC修正后图形的MEEF大小;其中,在对原始图形B0进行OPC修正时,对判定相似度为100%的原始图形B0,直接将工艺热点库中对应图形A0的OPC修正结果替换到其版图中,在对原始图形B0进行OPC修正时,对判定相似度低于100%的原始图形B0,需要预测其OPC修正后图形的MEEF大小;
步骤104:通过系统根据图形相似度的判定结果,工艺热点的分级值,MEEF大小数据,对MEEF值在设定值以上的原始图形B0进行加强修正,得到修正后图形B1;
步骤105:通过系统对修正后图形B1进行加强检查和分类;
步骤106:对其中经系统判定MEEF值在设定值以上的出版热点图形进行硅片验证,并将这些工艺热点的检查和验证结果存储至工艺热点库;
步骤107:将上述这些工艺热点的实际MEEF值反馈到系统中,以校正和更新工艺热点库,并将工艺热点库中的图形A0升级为图形A1。
2.根据权利要求1所述的增强OPC处理精度的方法,其特征在于,步骤101中,根据不同的工艺平台、工艺层次以及光刻工艺类型来建立相应的工艺热点库,并将OPC修正结果的模拟值与目标值偏差超过1%的图形A0或者硅片验证值与目标值偏差超过1%的图形A0收集到工艺热点库中。
3.根据权利要求1所述的增强OPC处理精度的方法,其特征在于,步骤101中,根据工艺热点库中图形A0的实际MEEF值大小赋与其不同的权重,据此对工艺热点实施分级处理。
4.根据权利要求1所述的增强OPC处理精度的方法,其特征在于,步骤102中,通过对图形A0与图形B0的形状,面积,宽度,长度进行比较,以及对图形A0与图形B0中各个图形线条之间间隔的最大值和最小值进行比较,并对图形A0与图形B0的周围环境进行比较和识别,以进行相似度判定。
5.根据权利要求1所述的增强OPC处理精度的方法,其特征在于,步骤104中,进行加强修正时,通过调用特殊模型的方法,对不同的图形B0给与不同程度的补偿,所述特殊模型根据工艺热点库中存储的客户版图、OPC模拟图像以及硅片实际SEM图像之间的关系而形成。
6.根据权利要求1所述的增强OPC处理精度的方法,其特征在于,步骤105中,进行加强检查和分类时,当模拟尺寸和目标尺寸之间的偏差超过限定值时,即将该图形点报错用以检查。
7.根据权利要求1所述的增强OPC处理精度的方法,其特征在于,步骤107中,对于实际MEEF值不小于1.5的图形B1或者是相似度超过30%的图形B1,对版图进行截图,并将对应的OPC模拟图像和硅片实际SEM图像存储到系统中,对工艺热点库数据进行升级。
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