[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底；

至少一个第一栅极结构，位于所述衬底上；

至少一个第一间隔件，位于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上；

至少一个源漏结构，邻近于所述第一间隔件；

至少一个导体，电连接至所述源漏结构；以及

至少一个保护层，位于所述导体和所述第一间隔件之间并且位于所述第一栅极结构的顶面上。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述保护层由氮化硅、氮氧化硅或它们的组合制成。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

至少一个第二栅极结构，位于所述衬底上；以及

至少一个第二间隔件，位于所述第二栅极结构的至少一个侧壁上，其中，所述源漏结构位于所述第一间隔件和所述第二间隔件之间。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述保护层还位于所述导体和所述第二间隔件之间，并且所述保护层位于所述第二栅极结构的顶面上。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一介电层，位于所述导体和所述第一间隔件之间并且位于所述保护层和所述源漏结构之间。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括：

第二介电层，至少位于所述保护层上，在所述第二介电层中具有开口，其中，至少一部分的所述导体位于所述开口中。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述第一介电层和所述第二介电层由基本上相同的材料制成。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述保护层和所述第一介电层由不同的材料制成。

9.一种半导体结构，包括：

衬底；

至少一个栅极结构，位于所述衬底上；

至少一个间隔件，位于所述栅极结构的至少一个侧壁上；

至少一个源漏结构，位于所述衬底上；

至少一个第一介电层，至少位于所述栅极结构上并且在所述至少一个第一介电层中具有开口，其中，通过所述开口暴露所述源漏结构；

至少一个导体，至少通过所述开口电连接至所述源漏结构；以及

至少一个保护层，位于所述导体和所述间隔件之间并且位于所述第一介电层和所述栅极结构之间。

10.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：

在至少一个源漏结构上并且在至少一个第一栅极结构和至少一个第二栅极结构之间形成第一介电层；

去除所述第一介电层的上部，使得所述第一介电层、所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构形成凹槽；

至少在所述凹槽的至少一个侧壁上形成保护层；

在所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述保护层以及所述第一介电层上形成第二介电层；

在所述第一介电层和所述第二介电层中形成孔以暴露所述源漏结构；以及

在所述孔中形成导体，其中所述导体电连接至所述源漏结构。