[发明专利]一种蓝宝石衬底的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201611046850.0 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108091559B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 匡锡文 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 刻蚀 方法 | ||
1.一种蓝宝石衬底的刻蚀方法，包括先后进行的主刻蚀步骤和过刻蚀步骤，其特征在于，所述主刻蚀步骤包括工艺开始时的快速升温阶段，在所述快速升温阶段，将所述蓝宝石衬底的背吹冷却气体压力调整到设定压力范围内；同时将用于使所述蓝宝石衬底产生偏压的下电极功率调整到设定功率范围内；以使所述蓝宝石衬底的温度能在设定时间范围内从初始温度上升到设定温度范围内；从而使所述蓝宝石衬底的刻蚀选择比能达到0.85以上；其中，
所述设定压力范围为：2～3T；
所述设定功率范围为：500～700W；
所述设定温度范围为：91～102℃；
所述设定时间范围为：30s～2min。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述初始温度的范围为：20～30℃。
3.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底的刻蚀方法，其特征在于，在所述主刻蚀步骤的所述快速升温阶段，刻蚀腔室内的工艺压力范围为：2～3mT；刻蚀工艺气体的流量范围为：60～120sccm；用于使所述刻蚀腔室内的所述刻蚀工艺气体激发形成等离子体的上电极功率范围为：1200～1600W。
4.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底的刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤还包括所述快速升温阶段结束后的稳定工艺阶段，在所述稳定工艺阶段，刻蚀腔室内的工艺压力范围为：2～3mT；刻蚀工艺气体的流量范围为：60～120sccm；用于使所述刻蚀腔室内的所述刻蚀工艺气体激发形成等离子体的上电极功率范围为：1200～1600W；所述蓝宝石衬底的背吹冷却气体压力范围为2～3T；所述下电极功率范围为200W～500W；所述稳定工艺阶段的时长范围为10～20min。
5.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底的刻蚀方法，其特征在于，在所述过刻蚀步骤中，刻蚀腔室内的工艺压力范围为：2～3mT；刻蚀工艺气体的流量范围为：60～100sccm；用于使所述刻蚀腔室内的所述刻蚀工艺气体激发形成等离子体的上电极功率范围为：1200～1600W；所述蓝宝石衬底的背吹冷却气体压力范围为4～6T；所述下电极功率范围为600W～700W；所述过刻蚀步骤的时长范围为15～30min。
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