[发明专利]一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备有效
申请号: | 201611045887.1 | 申请日: | 2016-11-21 |
公开(公告)号: | CN108091588B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 白志民;李强;邓斌;邓玉春;王厚工;丁培军 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;刘悦晗 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺腔 室内 工艺腔室 退火工艺 晶片 退火设备 退火工艺过程 设备产能 温度波动 压力恒定 压力维持 均匀性 乱流 腔室 预设 回复 体内 | ||
1.一种退火工艺方法,其特征在于,所述方法包括:
向工艺腔室内通入第一气体,并使所述工艺腔室的压力维持在预设的阈值;
将晶片传输至所述工艺腔室内,向所述工艺腔室内通入第二气体,并使所述工艺腔室内的压力维持在所述阈值,同时对所述晶片进行退火工艺。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过控制所述工艺腔室的排气流量,将工艺腔室内的压力维持在所述阈值。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:对预设数量的晶片进行退火工艺后,对所述工艺腔室抽本底真空。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述预设数量为25-50片。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一气体为N2,所述第二气体为N2与H2的混合气体。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一气体的流量为100ml-500ml,所述第二气体中N2的流量为1000ml,所述第二气体中H2的流量为300ml。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阈值为1Torr-10Torr。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述阈值为2Torr。
9.一种工艺腔室,其特征在于,包括第一腔室、第二腔室以及通过控制器控制的第一进气结构、第二进气结构和排气结构,所述排气结构包括第一排气结构和第二排气结构,所述第一进气结构和第二进气结构分别位于所述第一腔室和第二腔室的上方,所述第一排气结构和第二排气结构分别位于所述第一腔室和第二腔室的下方,所述排气结构上设置有阀门;
所述工艺腔室还包括腔室本体,所述腔室本体上开设有连接腔,所述第一腔室和第二腔室结构相同且对称设置在所述腔室本体上,并通过所述连接腔水平连接;
所述控制器用于,控制所述第一腔室和第二腔室内的压力:在第一晶片进入所述第一腔室、第二晶片进入所述二腔室之前,同时控制所述第一进气结构和第二进气结构分别向所述第一腔室和第二腔室内通入第一气体,并控制所述阀门的开度,以使所述第一腔室和第二腔室内的压力维持在预设的阈值;以及,在第一晶片和第二晶片分别进入所述第一腔室和第二腔室之后,同时控制所述第一进气结构和第二进气结构分别向所述第一腔室和第二腔室内通入第二气体,并使所述第一腔室和第二腔室内的压力维持在所述阈值,同时对所述第一晶片和第二晶片进行退火工艺。
10.如权利要求9所述的工艺腔室,其特征在于,所述排气结构还包括排气总管,所述第一排气结构和第二排气结构均与所述排气总管相连,所述阀门设置在所述排气总管上,用于同时控制所述第一腔室和第二腔室的排气流量。
11.如权利要求9所述的工艺腔室,其特征在于,所述第一腔室或第二腔室或连接腔内设置有压力检测装置,所述压力检测装置用于,检测所述工艺腔室内的压力,并将检测值发送给所述控制器;
所述控制器用于,根据所述检测值和所述阈值,控制所述阀门的开度。
12.一种退火设备,其特征在于,包括至少一个如权利要求9-11所述的工艺腔室。
13.如权利要求12所述的退火设备,其特征在于,还包括传输平台,所述工艺腔室与所述传输平台相连。
14.如权利要求13所述的退火设备,其特征在于,所述传输平台为四边形,所述工艺腔室为三个,所述三个工艺腔室分别位于所述传输平台的三个侧面。
15.如权利要求14所述的退火设备,其特征在于,所述传输平台上设置有真空机械手,所述退火设备还包括装载腔室,所述装载腔室位于所述传输平台的非连接所述工艺腔室的一侧;
所述真空机械手用于,将晶片从所述装载腔室分别传输至所述工艺腔室的第一腔室和第二腔室内。
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