[发明专利]一种两面针再生苗的组培培养基和培养方法有效

专利信息
申请号: 201611044473.7 申请日: 2016-11-24
公开(公告)号: CN106508683B 公开(公告)日: 2018-03-20
发明(设计)人: 何国振;何蔚思;汤丽云 申请(专利权)人: 广州中医药大学;华南农业大学
主分类号: C12N5/04 分类号: C12N5/04;A01H4/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 任重
地址: 510006 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 两面针 再生 培养基 培养 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及组织培养技术领域,更具体地,涉及一种两面针再生苗的组培培养基和培养方法。

背景技术

两面针(Zanthoxylum nitidum (Roxb.) DC.)为芸香科花椒属植物,具有很高的药用价值,其干燥根入药,为我国南方地区常见中药,1977年开始被收入《中国药典》。两面针具有行气止痛、活血化瘀、祛风通络之功效。其中的氯化两面针碱可以抗肝癌和乳腺癌;两面针还是牙膏工业的原料。两面针分布于我国南方各省,生于山野坡地灌木丛中。两面针分布虽然广阔,但资源并不丰富。由于两面针用量巨大,其野生资源几近枯竭,市场上两面针药材的伪品因此也较多。恢复两面针的资源首先需要种苗。可以通过种子萌发、扦插繁殖和组织培养获得种苗。组织培养的研究集中在两面针的快速繁殖,即采用带腋芽的茎段为外植体,通过丛生芽的诱导来实现增殖,但这些方法的繁殖系数较低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术存在的上述缺陷,提供一种两面针再生苗的组培培养基。

本发明的第二个目的是提供一种两面针再生苗的组培方法。

本发明的目的是通过以下技术方案予以实现的:

6-糠基氨基嘌呤在两面针组织培养中的应用,所述6-糠基氨基嘌呤在培养基中的浓度为0.2~6 mg/L。

发明人研究发现在两面针中加入6-糠基氨基嘌呤(又名激动素,简称KT)可诱导出两面针愈伤组织,利用愈伤组织进行组织培养,可提高增殖系数,实现快速繁殖。

发明人研究发现,两面针组织培养较为复杂,外植体在诱导长成愈伤组织后,不同生长阶段所需的生长物质的种类和含量显著不同,因此本发明提供了一套从愈伤组织诱导到生根的培养基,即提供一种两面针再生苗的组培培养基,包括愈伤组织诱导培养基、芽分化培养基、芽增殖培养基和生根培养基;所述愈伤组织诱导培养基为MS+1.0~4.0 mg/L KT+1.0~2.0 mg/LNAA;所述芽分化培养基分为第一次芽分化培养基和第二次芽分化培养基,所述第一次芽分化培养基为MS+1.0~4.0 mg/L KT+0.1~0.2 mg/L IBA,所述第二次芽分化培养基为MS+2.0~6.0 mg/L KT+0.2 mg/L IBA或者MS+2.0~6.0 mg/L KT+0.4~0.8 mg/L NAA;所述芽增殖培养基为MS+2.0~4.0 mg/L KT+0.8 mg/L IBA或者MS+2.0~4.0 mg/L KT+0.4~0.8 mg/L NAA;所述生根培养基为1/2MS+0.2~2.0 mg/L KT+1.0 mg/L IBA。

优选地,所述愈伤组织诱导培养基为MS+4.0 mg/L KT+2.0 mg/LNAA;所述芽分化培养基为MS+6.0 mg/L KT+0.2 mg/L IBA;所述芽增殖培养基为MS+4.0 mg/L KT+0.8 mg/L NAA;所述生根培养基为1/2 MS+0.2 mg/L KT+1.0 mg/L IBA。

本发明还提供一种两面针组织培养的方法,包括以下步骤:

(1)以两面针无根苗的茎段为外植体,进行愈伤组织的诱导;所述愈伤组织诱导培养基为MS+1.0~4.0 mg/L KT+1.0~2.0 mg/LNAA;

(2)将愈伤组织在分化培养基中分两次进行分化培养,以得到带芽愈伤组织;所述第一次芽分化培养基为MS+1.0~4.0 mg/L KT+0.1~0.2 mg/L IBA,所述第二次芽分化培养基为MS+2.0~6.0 mg/L KT+0.2 mg/L IBA或者MS+2.0~6.0 mg/L KT+0.4~0.8 mg/L NAA;

(3)将带芽的愈伤组织在芽增殖培养基中培养,以获得更多的再生芽,并改善芽的质量;所述芽增殖培养基为MS+2.0~4.0 mg/L KT+0.8 mg/L IBA或者MS+2.0~4.0 mg/L KT+0.4~0.8 mg/L NAA;

(4)将所得芽从基部切下,转接到生根培养基中诱导生根;所述生根培养基为1/2 MS+0.2~2.0 mg/L KT+1.0 mg/L IBA。

优选地,步骤(1)、(2)、(3)、(4)的培养条件均为:温度23~27℃,相对湿度40%~60%,光照强度为32.5~34.5 μmol·m-2·s-1,光周期为光照与黑暗时间各半。

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