[发明专利]基于量子点薄膜的细胞温度传感器及其制备方法有效
申请号: | 201611044320.2 | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN106525273B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 张昱 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G01K11/00 | 分类号: | G01K11/00 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 岳昕 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子点 盖片 微通道结构 温度传感器 制备 薄膜 腔体 薄膜形成 出入孔 细胞 封接 母板 制作 按比例混合 薄膜传感器 量子点溶液 紫外光固化 温度测量 细胞接触 光刻胶 封闭 旋涂 测量 | ||
1.基于量子点薄膜的细胞温度传感器的制备方法,所述细胞温度传感器包括盖片和基片;
所述盖片上带有微通道结构,所述基片上设置有量子点薄膜,盖片与基片封接,使微通道结构与量子点薄膜形成封闭的腔体,盖片上还设有所述腔体的出入孔;
其特征在于,所述方法包括如下步骤:
步骤一:根据待测细胞设计微通道结构,根据设计的微通道结构制作母板;
步骤二:根据母板,采用纳米压印技术利用聚二甲基硅氧烷制作带有设计的微通道结构的盖片,用打孔器在盖片上打出入孔,再对盖片进行氧等离子体处理;
步骤三:采用石英玻璃或聚二甲基硅氧烷制作基片,将量子点溶液和紫外光固化光刻胶按比例混合后旋涂在基片上,制备量子点薄膜;
步骤四:完成盖片和基片的封接:将步骤一制作的盖片放在步骤二制作的基片上,放入紫外压印系统中,开启紫外光源,进行固化,使微通道结构与量子点薄膜形成封闭的腔体;
所述量子点薄膜为CdSe/ZnS核壳量子点薄膜。
2.根据权利要求1所述的基于量子点薄膜的细胞温度传感器的制备方法,其特征在于,所述微通道结构为十字沟道。
3.根据权利要求1或2所述的基于量子点薄膜的细胞温度传感器的制备方法,其特征在于,所述微通道结构包括样品流沟道和鞘流沟道,所述腔体的出入孔包括样品流出入孔和鞘流出入孔。
4.根据权利要求3所述的基于量子点薄膜的细胞温度传感器的制备方法,其特征在于,所述带有微通道结构的盖片采用聚二甲基硅氧烷制成。
5.根据权利要求4所述的基于量子点薄膜的细胞温度传感器的制备方法,其特征在于,所述基片采用石英玻璃或聚二甲基硅氧烷制成。
6.根据权利要求1所述的基于量子点薄膜的细胞温度传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤一中:
根据待测细胞的直径,设计微通道结构的高度和宽度,进而确定微通道结构中样品流沟道的宽度和鞘流沟道的宽度。
7.根据权利要求1或6所述的基于量子点薄膜的细胞温度传感器的制备方法,其特征在于,所述步骤一中,采用硅材料制作母板。
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