[发明专利]逆变器功率单元的集成器件及电路板在审

专利信息
申请号: 201611042977.5 申请日: 2016-11-23
公开(公告)号: CN108092524A 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 艾伊昭;邓习兵 申请(专利权)人: 深圳市昭恒新能源技术有限公司
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 代理人: 谭果林
地址: 518172 广东省深圳市龙岗区龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 集成器件 整流模块 基板 逆变器功率单元 直流母线 阻抗 封装 电子开关技术 输入输出端口 直流母线回路 印制板电路 主回路结构 电路板 叠层母排 功率单元 排列方式 依次排列 依次相连 整流电路 环电流 整体化 减小 电路
【权利要求书】:

1.一种逆变器功率单元的集成器件,其特征在于,所述集成器件包括基板,所述基板上沿第一方向依次排列设置整流模块、第一IGBT模块以及第二IGBT模块,所述整流模块、所述第一IGBT模块以及所述第二IGBT模块依次相连;

所述基板上与所述第一方向平行的第一侧边上依次设有与所述整流模块连接的三相交流输入端、与所述第一IGBT模块连接的第一IGBT输出端以及与所述第二IGBT模块连接的第二IGBT输出端;

所述基板上与所述第一侧边相对的第二侧边上设有与所述第一IGBT模块对应连接的第一IGBT输入端和与所述第二IGBT模块对应连接的第二IGBT输入端;

所述基板上与所述第一侧边和所述第二侧边相邻且靠近所述整流模块的第三侧边上设有第一直流正极端和第一直流负极端,所述第一直流正极端和所述第一直流负极端与所述整流模块相连;

所述基板上与所述第三侧边相对的第四侧边上设有第二直流正极端和第二直流负极端,所述第二直流正极端和所述第二直流负极端与所述第二IGBT模块相连。

2.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述整流模块包括沿与所述第一方向依次排列设置的第一组二极管、第二组二极管以及第三组二极管,所述第一组二极管的第一端连接所述三相交流输入端中的R相交流输入端,所述第二组二极管的第一端连接所述三相交流输入端中的S相交流输入端,所述第三组二极管的第一端连接所述三相交流输入端中的T相交流输入端,所述第一组二极管的第二端、所述第二组二极管的第二端以及所述第三组二极管的第二端与所述第一直流正极端共接,所述第一组二极管的第三端、所述第二组二极管的第三端以及所述第三组二极管的第三端与所述第一直流负极端共接。

3.如权利要求2所述的集成器件,其特征在于,所述第一组二极管包括第一二极管和第二二极管,所述第一二极管的阴极为所述第一组二极管的第二端,所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阴极共接并构成所述第一组二极管的第一端,所述第二二极管的阳极为所述第一组二极管的第三端;

所述第二组二极管包括第三二极管和第四二极管,所述第三二极管的阴极为所述第二组二极管的第二端,所述第三二极管的阳极与所述第四二极管的阴极共接并构成所述第二组二极管的第一端,所述第四二极管的阳极为所述第二组二极管的第三端;

所述第三组二极管包括第五二极管和第六二极管,所述第五二极管的阴极为所述第三组二极管的第二端,所述第五二极管的阳极与所述第六二极管的阴极共接并构成所述第三组二极管的第一端,所述第六二极管的阳极为所述第三组二极管的第三端。

4.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述第一IGBT模块包括沿与所述第一方向依次排列设置的第一IGBT单元和第二IGBT单元,所述第一IGBT单元的第一端通过所述整流模块连接所述第一直流正极端,所述第一IGBT单元的第一端并通过所述第二IGBT模块连接所述第二直流正极端,所述第一IGBT单元的第二端连接所述第一IGBT输入端中的第一输入端,所述第一IGBT单元的第三端与接第二IGBT单元的第一端共接并连接所述第一IGBT输出端以及所述第一IGBT输入端中的第二输入端,所述第二IGBT单元的第二端连接所述第一IGBT输入端中的第三输入端,所述第二IGBT单元的第三端通过所述整流模块连接所述第一直流负极端,所述第二IGBT单元的第三端并通过所述第二IGBT模块连接所述第二直流负极端,所述第二IGBT单元的第三端并连接所述第一IGBT输入端中的第四输入端。

5.如权利要求4所述的集成器件,其特征在于,所述第一IGBT单元包括第一IGBT和第一二极管,所述第一IGBT的集电极和所述第一二极管的阴极共接并构成所述第一IGBT单元的第一端,所述第一IGBT的栅极为所述第一IGBT单元的第二端,所述第一IGBT的发射极与所述第一二极管的阳极共接并构成所述第一IGBT单元的第三端;

所述第二IGBT单元包括第二IGBT和第二二极管,所述第二IGBT的集电极和所述第二二极管的阴极共接并构成所述第二IGBT单元的第一端,所述第二IGBT的栅极为所述第二IGBT单元的第二端,所述第二IGBT的发射极与所述第二二极管的阳极共接并构成所述第二IGBT单元的第三端。

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