[发明专利]硅杂稠环类衍生物、其应用及电致发光器件

权利要求书

1.硅杂稠环类衍生物，其特征在于，具有式(Ia)或式(Ib)所示的结构通式：

其中：

Ar₁-Ar₄分别独立的选自苯基或萘基，并且，至少有一个为萘基；

R₁-R₄分别独立的选自氢、取代的或未被取代的C₁-C₂₀的烷烃基团、取代的或未被取代的C₁-C₂₀的硅烷烃基团、取代的或未被取代的C₆-C₆₅的芳香基团、取代的或未被取代的C₆-C₆₅的芳香硅烷基团、取代的或未被取代的C₅-C₆₅的杂环基团，R₁-R₄相同或不同，X为卤素F。

2.根据权利要求1所述的硅杂稠环类衍生物，其特征在于，具有式(Ib)所示的结构通式，其中：

C₁-C₂₀的烷烃基团的取代基选自氢、氘、卤原子、氰基、硝基、脒基、羟基或羰酰基；

C₁-C₂₀的硅烷烃基团的取代基选自氢、氘、卤原子、氰基、硝基、脒基、羟基或羰酰基；

C₆-C₆₅的芳香基团的取代基选自氢、氘、卤原子、氰基、硝基、脒基、羟基或羰酰基；

C₆-C₆₅的芳香硅烷基团的取代基选自氢、氘、卤原子、氰基、硝基、脒基、羟基或羰酰基；

C₅-C₆₅的杂环基团的取代基选自氢、氘、卤原子、氰基、硝基、脒基、羟基或羰酰基；

C₆-C₆₅的亚芳香基团的取代基选自氢、氘、卤原子、氰基、硝基、脒基、羟基或羰酰基；

C₆-C₆₅的亚芳香杂环基团的取代基选自氢、氘、卤原子、氰基、硝基、脒基、羟基或羰酰基；

R₁-R₄相同或不同；

X为卤素F。

3.根据权利要求2所述的硅杂稠环类衍生物，其特征在于：

C₅-C₆₅的杂环基团为C₅-C₆₅的杂芳环基团。

4.根据权利要求1所述的硅杂稠环类衍生物，其特征在于，如下所示：

5.根据权利要求1所述的硅杂稠环类衍生物，其特征在于：

R₁-R₄分别独立的选自通式2a-2o所示的结构：

R₁-R₄相同或不同；

Y、R₂₁、R₂₂和R₂₃分别独立的为取代的或非取代的C₁-C₂₀的烷烃基团、取代的或非取代的C₁-C₂₀的硅烷烃基团、取代的或非取代的C₆-C₆₅的芳香基团、取代的或非取代的C₆-C₆₅的芳香硅烷基团、取代或非取代的C₆-C₆₅杂芳环基团或取代的或非取代的C₆-C₆₅缩合多环芳烃基团，*代表取代位置，p表示取代数目，范围为整数1-7。