[发明专利]半导体结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体的，涉及一种半导体结构。

背景技术

现代半导体封装由多个堆叠的材料层形成，所述堆叠的材料层可包含由导电金属互连件及线电耦合在一起的众多有源装置。包括例如铜线的金属化线的互连结构连接半导体集成电路(IC)的各种组件。每一互连层内的金属化线形成于例如低k电介质的层间电介质(ILD)材料中。ILD材料使金属化线在互连结构的每一层级内及邻近层级中彼此电隔离。

后端(“BEOL”)制造工艺用于在每一层中及在多个层之间建立导电互连件的复杂网络。包含单镶嵌工艺及双镶嵌工艺的镶嵌工艺常规地用于制造多级互连结构。在镶嵌工艺中，沟槽及通孔被制造于ILD层内并穿过ILD层，且以导电材料(例如铜(Cu)或铜基合金)填充以在邻近层之间建立金属化线及垂直导电路径(通孔)。

发明内容

根据本发明一实施例，一种半导体结构包括：源极/漏极扩散带的第一行、源极/漏极扩散带的第二行、源极/漏极扩散带的第三行、源极/漏极扩散带的第四行、导电带的第一行以及导电带的第二行。源极/漏极扩散带的第一行具有第一区段及与第一区段分离开第一距离的第二区段；源极/漏极扩散带的第二行具有第一区段及与第一区段分离开第一距离的第二区段；源极/漏极扩散带的第三行具有第一区段及与第一区段分离开第一距离的第二区段；源极/漏极扩散带的第四行具有第一区段及与第一区段分离开第一距离的第二区段；导电带的第一行在源极/漏极扩散带的第一行及源极/漏极扩散带的第二行上方，导电带的第一行具有第一区段及与第一区段分离开第二距离的第二区段；导电带的第二行在源极/漏极扩散带的第三行及源极/漏极扩散带的第四行上方，导电带的第二行具有第一区段及与第一区段分离开第二距离的第二区段，其中第二距离大于第一距离。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最佳理解本发明的方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征件并非按比例绘制。实际上，为了清晰地论述，可随意增加或减小各种特征件的尺寸。

图1说明根据本发明的一些实施例的半导体结构的布局图。

图1A说明根据本发明的一些实施例的在图1中所展示的半导体结构的部分的放大图。

图1B说明根据本发明的一些实施例的在图1中所展示的半导体结构的部分的等效电路的示意性电路图。

图2说明根据本发明的一些实施例的另一半导体结构的布局图。

图2A说明根据本发明的一些实施例的在图2中所展示的半导体结构的部分的等效电路的示意性电路图。

图3说明根据本发明的一些实施例的另一半导体结构的布局图。

图3A说明根据本发明的一些实施例的另一半导体结构的布局图。

图3B说明根据本发明的一些实施例的在图3中所展示的半导体结构的导电线及导电通孔的布局图。

图3C说明根据本发明的一些实施例的在图3B中所展示的半导体结构的通孔的布局图。

图3D说明根据本发明的一些实施例的另一半导体结构的布局图。

图3E说明根据本发明的一些实施例的另一半导体结构的布局图。

图3F说明根据本发明的一些实施例的在图3E中所展示的半导体结构的部分的等效电路的示意性电路图。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅为实例且不希望具限制性。举例来说，在以下描述中第一特征形成于第二特征上方或第一特征形成于第二特征上可包含其中第一及第二特征是直接接触而形成的实施例，且也包含其中额外特征可形成于第一特征与第二特征之间使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本发明可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简单性及明确目的，且其本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，为便于描述，在本文中使用例如“下方”、“之下”、“下”、“之上”、“上方”及类似物的空间相对术语，以描述如图式中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。所述空间相对术语希望涵盖在使用或操作中的装置除图式中所描绘的定向外的不同定向。设备可以其它方式经定向(旋转90度或以其它定向)，且同样可相应地解释本文中所使用的空间相对描述符。