[发明专利]一种半导体器件的生产方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的生产的技术领域，尤其涉及一种半导体器件的生产方法。

背景技术

半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。其包括晶体二极管、双极型晶体管和场效应晶体管等。半导体器件在生产过程中，需要使用锡膏涂覆在引线框架上，再将芯片覆盖在锡膏上，具体而言，一般经过以下步骤：先将冷冻保存的锡膏解冻，将解冻后的锡膏在引线框架上涂覆，将芯片以贴片的形式设置在引线框架上，再经过回流焊，最终形成成品。传统的生产过程中，锡膏一般通过点胶的方式涂覆在引线框架上，生产效率不高，而将锡膏通过印刷的方式直接印刷在引线框架上的效率更高，因此得到越来越多的采用，且很多倒装芯片必须采用印刷锡膏的方式比较精确的控制锡膏的量。由于锡膏本身的特点，锡膏在涂覆后应该要在1个小时内完成后续的流程，即直至完成回流焊，否则锡膏中的助焊剂会挥发出去，产生回流焊时芯片剥离、焊接不牢固和气泡过大等问题，导致产品报废。因此，印刷锡膏的设备的高生产率会对后续的流程造成很大的压力，在实际生产过程中，常常由于焊接芯片的设备和回流焊设备的异常以及总负载能力偏低等特点，导致半成品(即印刷有锡膏的引线框架和设置有芯片的引线框架)滞留时间超过一个小时而报废，造成极大浪费，而且印刷锡膏的设备不能满产能运转，导致产能浪费。

发明内容

本发明的目的在于提出一种半导体器件的生产方法，通过延长涂覆有锡膏的半导体器件半成品的保存期，避免半导体器件成品浪费，极大的提高了生产的灵活性。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种半导体器件的生产方法，其特征在于，包括：

S4：将涂覆有锡膏的半导体器件半成品在不超过5℃的低温中储存；

S5：将在低温下储存的半导体器件半成品解冻到5℃以上后继续使用。

其中，步骤S4之前包括：

S1：解冻锡膏；

S2：在引线框架上设置锡膏；

S3：在引线框架上设置芯片；

所述半导体器件半成品包括设置有锡膏的引线框架和/或设置有芯片的引线框架。

其中，步骤S5中的继续使用包括：将解冻后的半导体器件半成品进行回流焊处理。

其中，所述锡膏通过印刷的方式设置于所述引线框架上。

其中，半导体器件半成品在-18℃到5℃之间储存。

其中，所述半导体半成品解冻到10℃到30℃之间。

其中，步骤S4中，涂覆有锡膏的半导体器件半成品经过抽真空密封后在低温下储存。

其中，抽真空密封具体包括：涂覆有锡膏的半导体器件半成品置于料盒，放入密封袋中，抽真空。

其中，所述密封袋为铝箔袋或塑料袋。

其中，涂覆有锡膏的半导体器件半成品放入冷柜中实现低温储存。

有益效果：本发明提供了一种半导体器件的生产方法，包括：S4：将涂覆有锡膏的半导体器件半成品在不超过5℃的低温中储存；S5：将在低温下储存的半导体器件半成品解冻到5℃以上后继续使用。通过在低温下保存涂覆有锡膏的半导体器件半成品，可以避免锡膏内的助焊剂挥发，不需要限定在1个小时内完成后续工艺，即使遇到后续工艺设备出现故障时，也可以避免浪费，极大的提高了生产的灵活性，且不再限制锡膏的涂覆设备的产能，可以满产能运转，避免产能浪费。

附图说明

图1是本发明供的半导体器件的生产方法。

具体实施方式

为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

本发明提供了一种半导体器件的生产方法，其包括：

S1：解冻锡膏；

S2：在引线框架上设置锡膏；

S3：在引线框架上焊芯片；

S4：将涂覆有锡膏的半导体器件半成品在不超过5℃的低温中储存；

S5：将在低温下储存的半导体器件半成品解冻到5℃以上后继续使用。