[发明专利]有机发光显示装置有效
| 申请号: | 201611035941.4 | 申请日: | 2016-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN106803512B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 崔忠硕;金秀燕;金铉镐 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
互相间隔开的多个像素电极;
像素限定层,与所述多个像素电极中的每一个的边缘重叠;
相对电极,布置为与所述多个像素电极和所述像素限定层共同重叠;
多个发射层,设置在所述多个像素电极和所述相对电极之间,所述多个发射层分别与所述多个像素电极重叠;
反射调节层,布置为与所述多个像素电极和所述像素限定层重叠,所述反射调节层具有导电性并且接触所述相对电极;以及
多个相位控制层,彼此间隔开,设置在所述相对电极和所述反射调节层之间,
其中,所述相位控制层直接布置在所述相对电极和所述反射调节层之间,
在所述多个发射层中的每一个处,在入射到所述反射调节层的光之中,由所述反射调节层的上表面反射第一光,并且由所述相对电极的上表面反射透射所述反射调节层和所述相位控制层的第二光,并且
通过所述相位控制层和所述反射调节层调节所述第一光和所述第二光的光学路径之间的差异使得所述第一光和所述第二光之间发生相消干涉。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述反射调节层限定的消光系数大于由所述相位控制层限定的消光系数。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,
在所述多个发射层中的每一个处,所述相位控制层的最大厚度限定第一厚度并且所述反射调节层的最大厚度限定第二厚度,
以及所述第一厚度和所述第二厚度的和引起所述第一光和所述第二光的相消干涉。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,
在所述多个发射层中的每一个处,所述相对电极的上表面和所述反射调节层的上表面彼此以距离间隔,
以及在所述多个发射层中的每一个处,所述相对电极的上表面和所述反射调节层的上表面之间的最大距离引起所述第一光和所述第二光的相消干涉。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述反射调节层包括Ti、Mo、Mn、Cr、W、Ni、Co、Cu、CrNx、TiNx、TiAlNx、NiS或TiC。
6.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述相位控制层包括SiNx、SiO2、SiCN、LiF、MgF2、CaF2、SiON、TaxOy或TiOx。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,
所述相位控制层包括彼此间隔开的部分,并且暴露所述相对电极的部分,以及
具有导电性的所述反射调节层接触所述相对电极的暴露的部分,所述相对电极的暴露的部分在彼此间隔开的所述相位控制层的部分之间。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述相位控制层包括各自彼此间隔开并且对应于所述多个像素电极的部分。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,进一步包括显示区域,所述多个像素电极位于所述显示区域内,
其中,所述反射调节层被设置为单体,以与所述显示区域内的所述多个像素电极共同重叠。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,与所述显示区域内的所述多个像素电极共同重叠的所述反射调节层对应于所述相对电极,所述相对电极与所述多个像素电极和所述像素限定层共同重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





