[发明专利]一种用于不掉电RAM的内存管理方法有效

专利信息
申请号: 201611035452.9 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN106598879B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 李先刚 申请(专利权)人: 积成电子股份有限公司
主分类号: G06F12/06 分类号: G06F12/06;G06F8/30
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 苗峻
地址: 250100 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 掉电 ram 内存 管理 方法
【说明书】:

发明公开了一种嵌入式软件系统中不掉电RAM的内存管理方法。在软件工程中,增加不掉电RAM专属的运行时域,并将需要保存到不掉电RAM中的数据强制分配到该运行时域中。当软件运行时,可以和普通变量一样读写RAM中的数据,避免绝对地址和指针访问带来的内存越限及内存访问异常等弊端,最大限度地发挥系统内存管理的优势。

技术领域

本发明涉及嵌入式软件领域,特别是涉及嵌入式软件领域中不掉电RAM的内存管理方法。

背景技术

嵌入式系统是指用于执行独立功能的专用计算机系统。它包括处理器、存储器、微控制器、传感器等一系列微电子芯片与器件,和嵌入在存储器中的微型操作系统、控制应用软件。

嵌入式软件特指运行于嵌入式系统中的软件。近年来,随着以计算机技术、通讯技术为主的信息技术的快速发展和Internet的广泛应用,嵌入式系统快速融入到大家的日常生活中。嵌入式软件也由最初嵌入式系统的配角,逐渐成长为整个系统的运行核心。

嵌入式系统为追求更快的运行速度和可靠的数据存储,存储器逐渐衍生为:随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、闪存(Flash)。RAM是与CPU直接交换数据的内部存储设备,可高速随机读写,通常作为程序的临时数据存储媒介,而Flash通常作为程序及数据的永久存储介质。

但在某些特定的应用场合,开发人员希望存储介质可以同时具备RAM的高速特性与Flash的不易失特性。由此催生了一种给RAM提供不掉电电源的设计方案,以达到高速和不易失特性共存的目的。但这种方案往往需要对不掉电RAM区别于普通RAM使用,给开发人员带来很大的成本开销,并给软件可靠性带来不可预知的挑战。

目前,不掉电RAM的使用方式包括:

1.绝对地址访问。

实例:*(UINT32*)0x1001A600=10101。

优点:很清楚的知道当前访问的地址,简单明了。

缺点:代码可读性差、易造成访问越限、及数据访问错误。

2.结构体指针访问。

实例:struct DATA_STRUCT*pstData=(DATA_STRUCT*)0x1001A600。

优点:代码可读性好。

缺点:这种方案依然无法解决内存越限的问题,结构体的大小随着成员变量增加而增大,当结构体长度超过RAM大小时,开发人员并不知情。

发明内容

针对上述问题,本发明提供一种用于解决不掉电RAM访问容易出现内存越限及内存访问异常的问题的一种用于不掉电RAM的内存管理方法。

为解决上述问题,本发明提供一种通过运行时域定义、段定义、强制段分配将不掉电RAM纳入内存管理的一种用于不掉电RAM的内存管理方法,具体包括以下步骤:

步骤一、创建工程连接配置文件。

步骤二、定义可执行程序对应的加载时域。

步骤三、定义至少一个只读属性的代码段运行时域。

步骤四、定义至少一个可读写属性的普通RAM对应的数据段运行时域,该数据段运行时域包含所有未明确指定运行时域的可读写数据段。

步骤五、定义不掉电RAM专属的数据段运行时域,该数据段运行时域仅包含一个不初始化的可读写数据段,并将该可读写数据段指定到不掉电RAM专属的数据段运行时域的首地址;这样就保证了所述数据段首地址等于不掉电RAM的首地址,保证所述数据段大小不会超过不掉电RAM的大小,为后续不掉电RAM结构体变量强制分配做准备工作。

步骤六、定义不掉电RAM对应的结构体。

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