[发明专利]具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置

权利要求书

1.一种具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，包含：一层基板、一个本体，及一个电极单元；其特征在于：该本体形成于该基板上，并包括一主动部、一环围该主动部的边缘终端部，及一绝缘氧化层，该主动部具有多个相互并联的电晶体，该边缘终端部具有一呈一第一型半导体特性的第一半导体区、一呈一第二型半导体特性的第二半导体区，及一远离该基板的顶面，该第二半导体区由该基板沿该第一半导体区的边缘往远离该基板方向延伸至该顶面，该绝缘氧化层与该基板相间隔地形成于该边缘终端部上，该第一半导体区由该顶面向该基板方向延伸至与该主动部对齐，该第一型半导体特性的浓度由该顶面往该基板方向递减，该第二型半导体特性的浓度由顶面往该基板方向递增，该电极单元包括一与所述电晶体连接且部分形成于该绝缘氧化层上的第一电极层，及一与该本体相间隔地形成于该基板的第二电极层。

2.根据权利要求1所述的具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，其特征在于：该第二半导体区由该基板沿该第一半导体区的边缘往远离该基板方向延伸至该顶面。

3.根据权利要求2所述的具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，其特征在于：该第一型半导体特性的浓度由该第一半导体区邻近该主动部与该顶面处往该边缘终端部与该基板处呈径向发散地降低。

4.根据权利要求2所述的具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，其特征在于：定义一平行该基板并从该主动部指向该边缘终端部为第一方向，及一垂直该第一方向并从该顶面指向该基板为第二方向，该第一型半导体特性的浓度沿该第二方向降低。

5.根据权利要求2所述的具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，其特征在于：定义一平行该基板并从该主动部指向该边缘终端部为第一方向，及一垂直该第一方向并从该顶面指向该基板为第二方向，该第一型半导体特性的浓度沿该第一方向降低。

6.根据权利要求2所述的具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，其特征在于：定义一平行该基板并从该主动部指向该边缘终端部为第一方向,该第一半导体区沿该第一方向具有N层半导体层，N＞1，相邻的该半导体层的第一型半导体特性的浓度差异小于20％。

7.根据权利要求2所述的具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，其特征在于：定义一垂直该基板并从该顶面指向该基板为第二方向,该第一半导体区沿该第二方向具有M层半导体层，M＞1，相邻的该半导体层的第一型半导体特性的浓度差异小于20％。

8.根据权利要求2所述的具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，其特征在于：定义一平行该基板并从该主动部指向该边缘终端部为第一方向，及一垂直该第一方向并从该顶面指向该基板为第二方向,该第一半导体区沿该第一方向具有N层半导体层，N＞1，所述N层半导体层彼此相连，该第一半导体区沿该第二方向具有M层半导体层，M＞1，所述M层半导体层为彼此相连及彼此不相连其中一者。

9.根据权利要求2所述的具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，其特征在于：定义一平行该基板并从该主动部指向该边缘终端部为第一方向，及一垂直该第一方向并从该顶面指向该基板为第二方向，该第一型半导体特性的浓度由该第一半导体区邻近该主动部与该顶面处往该边缘终端部与该基板处呈径向发散地降低，该第二型半导体特性的浓度沿该第二方向的反方向降低。

10.根据权利要求2所述的具有渐变浓度的边缘终端结构的功率半导体装置，其特征在于：定义一平行该基板并从该主动部指向该边缘终端部为第一方向，及一垂直该第一方向并从该顶面指向该基板为第二方向，该第一型半导体特性的浓度由该第一半导体区邻近该主动部与该顶面处往该边缘终端部与该基板处呈径向发散地降低，该第二型半导体特性的浓度沿该第一方向的反方向降低。