[发明专利]存储器阵列的操作方法

说明书

本发明公开了一种存储器阵列的操作方法。操作方法包括一全部编程步骤、一擦除步骤及一选择编程步骤。全部编程步骤用以对NAND串行的所有存储单元进行编程。擦除步骤系在全部编程步骤之后，且用以对NAND串行的所有存储单元进行擦除。选择编程步骤系在擦除步骤之后，且系用以编程NAND串行的存储单元的一部分。存储器阵列包括一NAND串行。NAND串行包括一柱状通道层、一柱状存储层及多个控制栅。控制栅间隔环绕柱状存储层。存储单元系定义在柱状通道层与控制栅的交错处。

技术领域

本发明是有关于一种存储器阵列的操作方法，且特别是有关于一种能提升装置稳定性的存储器阵列的操作方法。

背景技术

随着集成电路中元件的关键尺寸逐渐缩小至工艺技术所能感知的极限，设计者已经开始寻找可达到更大存储器密度的技术，藉以达到较低的位成本(costs per bit)。目前正被关注的技术包括位于单一芯片上具有存储单元多层结构的三维立体与非门存储器(NAND memory)及其操作。然而，目前存储器阵列仍有性质会随数据保存时间变异的问题。

发明内容

本发明系有关于一种存储器阵列的操作方法。

根据本发明的一方面，提出一种存储器阵列的操作方法。存储器阵列包括一NAND串行。NAND串行包括一柱状通道层、一柱状存储层及多个控制栅。控制栅间隔环绕柱状存储层。存储单元系定义在柱状通道层与控制栅的交错处。操作方法包括一全部编程步骤、一擦除步骤及一选择编程步骤。全部编程步骤系用以对NAND串行的所有存储单元进行编程。擦除步骤系在编程步骤之后，且系用以对NAND串行的所有存储单元进行擦除。选择编程步骤系在擦除步骤之后，且系用以编程NAND串行的存储单元的一部分。

根据本发明的另一方面，提出一种存储器阵列的操作方法。存储器阵列包括共享一存储层且相邻的至少三个存储单元。操作方法包括对相邻的至少三个存储单元进行一全部编程步骤。然后，对相邻的至少三个存储单元进行一擦除步骤。然后，仅对相邻的至少三个存储单元的一部分进行一选择编程步骤。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示根据一实施例的存储器阵列中一NAND串行的部分存储结构立体图。

图2绘示图1的存储结构沿AA线的剖面图。

图3绘示应用根据一实施例的操作方法的存储结构的情况。

图4绘示应用比较例的操作方法的存储结构的情况。

图5为实施例与比较例的数据保存时间与阈值电压之间的关系曲线。

图6绘示应用根据一实施例的操作方法。

图7绘示应用根据一实施例的操作方法。

【符号说明】

C：通道层

G1、G2、G3：控制栅

102：存储层

106：电荷捕捉膜

104：隧穿介电层

108：阻挡介电层

R12、R23：区域

S11、S12、S13：全部编程步骤

S21、S22、S23、S24：全部擦除步骤

S31、S32、S33、S34：选择编程步骤

具体实施方式

本发明内容的实施例系提出一种存储器阵列的操作方法，其能提升存储装置的稳定性。