[发明专利]一种利用周期金属结构调控的闪烁体

权利要求书

1.一种利用周期金属结构调控的闪烁体，包括

基底层，

布置在基底层上的金属周期阵列结构，

布置在金属周期阵列结构上的塑料闪烁体，

其特征在于，所述的基底层的上表面还镀设有厚度为1-2μm的透明介质层，所述的金属周期阵列结构布置在透明介质层的上表面；所述的透明介质层的折射率n₂与塑料闪烁体的折射率n₁满足如下关系：|n₁-n₂|<0.2，其中n₁＝1.49-1.59。

2.根据权利要求1所述的一种利用周期金属结构调控的闪烁体，其特征在于，所述的透明介质层为在塑料闪烁体发光谱区间透明的介质层。

3.根据权利要求2所述的一种利用周期金属结构调控的闪烁体，其特征在于，所述的塑料闪烁体发光谱区间为380-450nm。

4.根据权利要求1所述的一种利用周期金属结构调控的闪烁体，其特征在于，所述的透明介质层的厚度为1.5-1.8μm。

5.根据权利要求1所述的一种利用周期金属结构调控的闪烁体，其特征在于，所述的透明介质层的材质为SiO₂、Al₂O₃、BaF₂或CaF₂。

6.根据权利要求1所述的一种利用周期金属结构调控的闪烁体，其特征在于，所述的透明介质层的材质为SiO₂。

7.根据权利要求1所述的一种利用周期金属结构调控的闪烁体，其特征在于，所述的基底层为硅片。

8.根据权利要求1所述的一种利用周期金属结构调控的闪烁体，其特征在于，所述的基底层为表面具有氧化层的硅片。

9.根据权利要求1所述的一种利用周期金属结构调控的闪烁体，其特征在于，所述的金属周期阵列结构为呈正方形或三角形结构周期分布的柱状金属单元形成的阵列，相邻金属单元之间的距离为280-320nm，金属单元的直径为相邻金属单元之间的距离的0.4-0.5，金属单元的高度为80-100nm。

10.根据权利要求9所述的一种利用周期金属结构调控的闪烁体，其特征在于，所述的金属单元的材质为银或铝。

11.根据权利要求1所述的一种利用周期金属结构调控的闪烁体，其特征在于，所述的塑料闪烁体为掺杂有发光剂和/或移波剂的塑料基质，覆盖在金属周期阵列结构上，高度为1-3微米，所述的塑料基质包括聚甲基苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯，所述的发光剂包括对联三苯或PBD，所述的移波剂包括POPOP或BBO。