[发明专利]一种半导体激光器窄脉冲驱动电路及其工作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体激光器窄脉冲驱动电路及其工作方法，属于半导体激光器的技术领域。

背景技术

近年来，半导体激光器窄脉冲驱动电路以结构紧凑、稳定性高、脉冲宽度窄、重复频率高、脉冲宽度和重复频率可调等特点，广泛应用于光通信、单光子探测、光纤放大器种子源等领域。无论是在光通信、单光子探测，还是光纤放大器种子源领域，脉冲激光的平滑波形、稳定的中心波长、高输出功率、窄脉冲宽度等性能，都依赖于半导体激光器发射的激光脉冲质量，而半导体激光器发射的光脉冲是由半导体激光器驱动电路产生的电脉冲直接调制得到的，即脉冲电源的质量直接决定着激光脉冲质量的好坏；因此，半导体激光器脉冲驱动电路设计的好坏在相关领域中具有决定性的作用。

中国专利文件CN101895058A，公开了一种用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源，该电源采用高速MOSFET作开关，通过改变驱动电源中的电源电压、电阻和电容，使被驱动的半导体激光器输出所需要的频率高、前沿快、脉宽窄、脉冲峰值可控、波形平滑的激光脉冲。中国专利文件CN103227413A，公开了一种半导体激光器驱动电路，该电路通过脉冲整形电路进一步压缩窄脉冲信号的宽度，通过功率放大电路提高窄脉冲信号的功率，并通过充放电的方式产生占空比可调的方波，最终获得脉冲宽度最窄为20ns和重复频率范围为100Hz-100KHz的光信号。以上两个专利都直接将窄脉冲信号驱动场效应管的栅极，但是由于MOSFET存在着寄生参数，这会加大信号的上升和下降时间，使信号的脉冲宽度变宽，况且通过对电容充放电的方式来获得高峰值窄脉冲信号需要提供很高的电压，这需要添加脉冲整形电路模块或者升压模块提高电压，以便快速对电容充放电，这样会加大系统的复杂度；所以，通过以上专利的方法无法获得整体结构简单、紧凑以及集成度高的半导体激光器驱动电路，也无法实现亚纳秒级脉冲宽度的光脉冲信号输出。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体激光器窄脉冲驱动电路。

本发明还提供一种上述半导体激光器窄脉冲驱动电路的工作方法。

本发明的技术方案为：

一种半导体激光器窄脉冲驱动电路，包括外部电源接口电路、窄脉冲产生电路和MOSFET脉冲驱动电路；外部电源接口电路分别为窄脉冲产生电路和MOSFET脉冲驱动电路供电。

外部电源接口电路，用于与外部电源输入端连接，引入外部电源；窄脉冲产生电路，用于产生所需窄脉冲信号，控制MOSFET驱动电路中的MOSFET开关；MOSFET脉冲驱动电路，用于驱动激光器，提供半导体激光器的工作电压和工作电流，驱动激光器产生所需光脉冲信号。

优选的，所述窄脉冲产生电路包括CPLD控制芯片U6、与门芯片U7、晶振时钟U8、延时芯片U9、延时芯片U10和电平转换芯片U11；所述MOSFET脉冲驱动电路包括MOSFET驱动芯片U4；

进一步优选的，晶振时钟U8的2号引脚连接CPLD控制芯片U6的12号引脚，晶振时钟U8的1号引脚接+3.3V电源，晶振时钟U8的1号引脚还通过电容C13接地，晶振时钟U8的4号引脚接地；

电平转换芯片U11的1、3号引脚接地，电平转换芯片U11的2号引脚接+3.3V电源，电平转换芯片U11的4号引脚连接CPLD控制芯片U6的26号引脚；电平转换芯片U11的10、13、18号引脚并联后接+3.3V电源；电平转换芯片U11的10、13、18号引脚并联后分别通过电容C14、C15、C16、C17接地；电平转换芯片U11的19号引脚连接延时芯片U10的5号引脚；电平转换芯片U11的20号引脚连接延时芯片U10的4号引脚；电平转换芯片U11的19、20号引脚分别通过电阻R14、电阻R13接+1.3V电源；电平转换芯片U11的11号引脚连接延时芯片U9的5号引脚；电平转换芯片U11的12号引脚连接延时芯片U9的4号引脚，电平转换芯片U11的11、12号引脚分别通过电阻R15、电阻R16接+1.3V电源；