[发明专利]一种Ti-Cu-N纳米复合抗菌涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种Ti-Cu-N纳米复合抗菌涂层，其特征在于，在基体表面依次是Ti膜形成的过渡层、TiN膜形成的中间层和Ti-Cu-N层，Ti-Cu-N纳米复合抗菌涂层的厚度为1～10微米。

2.按照权利要求1所述的Ti-Cu-N纳米复合抗菌涂层，其特征在于，Ti膜形成的过渡层厚度为0.05～0.5微米，TiN膜形成的中间层厚度为0.5～2微米。

3.按照权利要求1所述的Ti-Cu-N纳米复合抗菌涂层，其特征在于，Ti-Cu-N层中的Cu含量为0.5～20at.％。

4.一种权利要求1至3之一所述的Ti-Cu-N纳米复合抗菌涂层的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

(1)镀过渡层：采用纯钛靶，当真空室内真空度达到1×10-3Pa～2×10-2Pa时，对真空室加热至200～500℃；向真空室通入氩气，气压控制在0.1～3Pa之间；基体加脉冲负偏压在-400～-1500V范围，使气体发生辉光放电，对样品进行辉光清洗10～60分钟；调整氩气流量，使真空室气压为0.1～2.0Pa，同时开启钛靶弧源，弧电流为60～150A，对样工件继续进行Ti+及Cu+轰击1～10分钟；调脉冲负偏压至-50V～-500V，沉积Ti膜即过渡层1～10分钟；

(2)镀TiN层：采用纯钛靶，停氩气，通氮气，设定气压为0.1～2Pa范围；对基体施加脉冲负偏压-50V～-500V；开启轴向磁场装置，磁场线圈电流调整为0.1～10A；调节靶电流为60～150A，沉积时间为1～20分钟；

(3)镀Ti-Cu-N层：采用钛铜合金靶，设定氮气气压为0.1～2Pa范围；对基体施加脉冲负偏压-50V～-500V；开启轴向磁场装置，磁场线圈电流调整为0.1～10A；调节靶电流为60～150A，沉积时间为10～200分钟；

(4)沉积结束后，停弧、停基体脉冲负偏压、停止通入气体、关闭轴向磁场装置，继续抽真空，工件随炉冷却至80℃以下，打开真空室，取出工件。

5.根据权利要求3所述的Ti-Cu-N纳米复合抗菌涂层的制备方法，其特征在于，在所使用的钛铜合金靶的靶材中，铜的原子百分比为5～40％。