[发明专利]保护膜形成用化学溶液有效
申请号: | 201611028598.0 | 申请日: | 2010-10-20 |
公开(公告)号: | CN107068538B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 斋藤真规;荒田忍;斋尾崇;公文创一;七井秀寿;赤松佳则 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/306 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护膜 形成 化学 溶液 | ||
1.一种清洗方法,其特征在于,
其为清洗表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的方法,
该方法至少具有以下工序:
在凹凸图案的至少凹部保持保护膜形成用化学溶液的保护膜形成工序,
通过干燥将液体从凹凸图案除去的干燥工序,
除去保护膜的膜除去工序,
所述保护膜形成用化学溶液为用于在至少所述凹部表面形成拒水性保护膜的包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液,该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂,
所述膜除去工序是通过进行选自对晶片表面进行光照射的处理、对晶片进行加热的处理以及将晶片暴露于臭氧中的处理中的至少一道处理而进行的,
所述非水溶性的表面活性剂为选自由以下的通式[1]所表示的化合物、通式[2]所表示的化合物及其盐化合物组成的组中的至少1种表面活性剂,
式[1]中,R1为包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1~8的氟烷基链的1价有机基团,U表示选自由氟基、氯基、溴基以及碘基组成的组中的基团,
R2R3R4N [2]
式[2]中,R2为包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1~8的氟烷基链的1价有机基团,R3为氢原子、或者包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1~8的氟烷基链的1价有机基团,R4为氢原子、或者包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1~8的氟烷基链的1价有机基团。
2.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述非水溶性的表面活性剂基于Griffin法的HLB值为0.001~10。
3.根据权利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述非水溶性的表面活性剂为选自由以下化合物组成的组中的至少1种表面活性剂:所述通式[1]表示的非水溶性的表面活性剂中的R1为包含碳原子数8~18的烃基的1价有机基团的化合物;所述通式[2]表示的非水溶性的表面活性剂中的R2为包含碳原子数6~18的烃基的1价有机基团、R3为氢原子或者包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团、R4为氢原子或者包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团的化合物;及其盐化合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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