[发明专利]数据储存装置及其数据写入方法

说明书

本发明提供一种数据储存装置及数据写入方法。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器具有多个三阶区块，其中每一三阶区块包括多个页面。控制器在数据储存装置自一断电事件中回复时，检查一第一页面的一第一编号是否大于一既定临界值，并且当第一页面的第一编号大于既定临界值时，停止将数据写入一第一三阶区块，其中第一三阶区块是在该断电事件发生时未完成写入程序的区块，并且第一页面是第一三阶区块中最后一个进行写入的页面。

技术领域

本发明有关于一种数据储存装置的数据写入方法；特别有关于一种三阶储存单元的数据写入方法。

背景技术

快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存媒体，是以电性方式抹除与程序化。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例，常用作记忆卡(memory card)、通用串行总线闪存装置(USB flash device)、固态硬盘(SSD)、嵌入式快闪存储器模组(eMMC)…等的储存媒体。

快闪存储器(如，NAND FLASH)的储存阵列包括多个区块(blocks)，其中浮置栅极晶体管可用以构成快闪存储器。浮置栅极晶体管中的浮置栅极，可捕捉的电荷以储存数据。然而，储存于浮置栅极的电荷会由于快闪存储器的操作以及各种环境参数，自浮置栅极流失，造成数据保存(Data retention)的问题。其中，三阶储存单元(Triple-Level Cell，TLC)的快闪存储器相较于其他单阶储存单元(Single-Level Cell，SLC)的快闪存储器以及二阶储存单元(Multi-Level Cell，MLC)的快闪存储器，更容易受环境影响而无法保存数据。尤其是在断电事件发生时，三阶储存单元相较于其他储存单元有更大的机率被断电事件影响而造成数据损毁。

发明内容

本发明所提供的数据储存装置以及数据写入方法可藉由继续使用遭受断电攻击的三阶区块，来避免三阶区块的浪费并且减少三阶区块的抹除次数。

本发明提供一种数据储存装置。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器具有多个单阶区块以及多个三阶区块，其中每一单阶区块具有依序自X开始编号之多个页面。控制器在数据储存装置自一断电事件中回复时，检查一第一页面的一第一编号是否大于一既定临界值，并且当第一页面的第一编号大于既定临界值时，将一第一三阶区块关闭，其中第一三阶区块是在该断电事件发生时未完成写入程序的区块，并且第一页面是第一三阶区块中最后一个进行写入的页面。当第一页面的第一编号小于既定临界值时，控制器自三阶区块中选择一第二三阶区块，以将原本要写入第一三阶区块的数据全部写入第二三阶区块。

在一实施例中，第一三阶区块的写入程序是将一第一既定数量的这些单阶区块中的数据，写入至三阶区块中之一者。每一三阶区块具有一第二既定数量的页面，并且既定临界值为第二既定数量的二分之一至三分之一之间的值。

在另一实施例中，控制器是将一虚拟数据写入该第一三阶区块中除了至少一特定页面外的其他页面，以关闭第一三阶区块。其中，特定页面为编号为X～Y的至少一该页面，并且Y为第一页面的该第一编号减去一第一既定值。

又另一实施例中，在第一三阶区块被关闭后，控制器还检查第一三阶区块中的所有页面之多个错误位元数使否超过一第二既定值。当第一三阶区块中的任一页面的错误位元数大于第二既定值时，控制器自三阶区块中选择一第二三阶区块，以将原本要写入第一三阶区块的数据全部写入第二三阶区块。当对第二三阶区块写入的过程中皆未发生断电事件时，控制器在完成第二三阶区块的写入程序后，接着处理其他工作，并且省略检查第二三阶区块中的所有页面的错误位元数的步骤。

又另一实施例中，当第一页面的第一编号小于既定临界值时，控制器自三阶区块中选择一第二三阶区块，以将原本要写入第一三阶区块的数据全部写入第二三阶区块。