[发明专利]电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法有效
| 申请号: | 201611027275.X | 申请日: | 2016-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN107039361B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
| 发明(设计)人: | 土生刚志;砂原肇;清水祐作 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子器件 密封 封装 制造 方法 | ||
1.一种电子器件密封用片,其特征在于,具有:
表面粗糙度Ra为0.3μm以上的第1面、和
表面粗糙度Ra为0.1μm以下的第2面。
2.根据权利要求1所述的电子器件密封用片,其特征在于,
所述第1面的热固化后的表面粗糙度Ra为0.3μm以上。
3.一种电子器件封装件的制造方法,其特征在于,包括:
准备电子器件隔着凸块固定于被粘物上的层叠体的工序、
准备权利要求1所述的电子器件密封用片的工序、
以所述电子器件密封用片的所述第2面与所述电子器件接触的方式将所述电子器件密封用片配置于所述层叠体的所述电子器件上的工序、
通过热压将所述电子器件埋入所述电子器件密封用片的工序、和
所述埋入工序后使所述电子器件密封用片热固化而得到密封体的工序。
4.根据权利要求3所述的电子器件封装件的制造方法,其特征在于,
在得到所述密封体的工序后,所述第1面的表面粗糙度Ra为0.3μm以上。
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