[发明专利]鳍式场效晶体管装置在审

专利信息
申请号: 201611024466.0 申请日: 2016-11-18
公开(公告)号: CN106992211A 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 张哲诚;林志翰;曾鸿辉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 鳍式场效 晶体管 装置
【说明书】:

技术领域

发明实施例涉及一种鳍式场效晶体管装置。

背景技术

随着电子装置体积逐渐缩小的需求,已经发展出来具有立体(3D)结构的装置。此类装置的范例包括有鳍式场效晶体管,其具有由衬底上垂直凸出而高起的鳍状结构。对于具有复杂形貌结构的装置而言,需要维持装置的成品率与性能。

发明内容

依据本发明的一些实施例,鳍式场效晶体管装置包括衬底、堆叠结构、源极与漏极区、侧壁绝缘体以及金属连接件。衬底具有建置其中的鳍结构。包括有栅极堆叠的堆叠结构配置于鳍结构上方。源极与漏极区配置于堆叠结构旁。侧壁绝缘体配置于源极与漏极区上。侧壁绝缘体包括底部与上部。底部与上部之间形成界面,且底部位于上部以及源极与漏极区之间。金属连接件堆叠于源极与漏极区上,且侧壁绝缘体位在金属连接件与堆叠结构之间。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明实施例,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例,并与描述一起用于解释本发明实施例的原理。

图1为依据本发明一些实施例所绘示的一种鳍式场效晶体管装置的制造方法流程图;

图2为本发明一些实施例中,利用图1的步骤S10所制造的装置示意图;

图3A与图3B为本发明一些实施例中,利用图1的步骤S20所制造的装置示意图;

图4为本发明一些实施例中,利用图1的步骤S30所制造的装置示意图;

图5为本发明一些实施例中,利用图1的步骤S40所制造的装置示意图;

图6为本发明一些实施例中,利用图1的步骤S50所制造的装置示意图;

图7为依照本发明一些实施例所绘示的另一种鳍式场效晶体管装置的剖面示意图。

附图标号说明

100、200:鳍式场效晶体管装置;

102A:共享源/漏极区;

102B:沟道区;

110:衬底;

112:鳍结构;

120、220:栅极堆叠;

120S、122S:侧壁;

120S1:第一区段;

120S2:第二区段;

122:电极部;

122T:顶部;

124、224:间隙壁;

126:顶隔离器;

130:源极与漏极区;

140:介电材料层;

142:初始介电层;

142A:第一介电部;

142B:第二介电部;

144:底部;

146:层间介电层;

150:光刻胶图案;

152:开口;

160:绝缘层;

162:上部;

170:侧壁绝缘体;

172:界面;

174:转向部;

180、280:堆叠结构;

180S、280S:倾斜侧表面;

190:金属连接件;

192:扩展部;

194:细瘦部;

196:盖层;

G:间隙区;

S10~S50:步骤。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施所提供的目标之不同特征的许多不同实施例或实例。以下所描述的构件及配置的具体实例是为了以简化的方式传达本发明为目的。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本发明。举例来说,在以下描述中,在第一特征上方或在第一特征上形成第二特征可包括第二特征与第一特征形成为直接接触的实施例,且亦可包括第二特征与第一特征之间可形成有额外特征使得第二特征与第一特征可不直接接触的实施例。此外,本发明在各种实例中可使用相同的组件符号及/或字母来指代相同或类似的部件。组件符号的重复使用是为了简单及清楚起见,且并不表示所欲讨论的各个实施例及/或配置本身之间的关系。

另外,为了便于描述附图中所绘示的一个构件或特征与另一组件或特征的关系,本文中可使用例如「在...下」、「在...下方」、「下部」、「在…上」、「在…上方」、「上部」及类似术语的空间相对术语。除了附图中所绘示的定向之外,所述空间相对术语意欲涵盖装置在使用或操作时的不同定向。设备可被另外定向(旋转90度或在其他定向),而本文所用的空间相对术语相应的作出解释。

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