[发明专利]坩埚、坩埚的制备方法及4H-SiC晶体的生长方法在审
| 申请号： | 201611024115.X | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108070909A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B11/12;C30B15/10;C30B15/08;C30B15/02;C23C16/32 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 石墨坩埚 晶体的 制备 晶体生长过程 主体内壁 生长 硅源 内壁 补给 | ||
1.一种坩埚，其特征在于，所述坩埚包括：
石墨坩埚主体；
SiC层，位于所述石墨坩埚主体的内壁上。
2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述SiC层为多晶SiC层。
3.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述SiC层完全覆盖所述石墨坩埚主体的内壁。
4.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于：所述SiC层的厚度小于15cm。
5.一种坩埚的制备方法，其特征在于，所述坩埚的制备方法包括如下步骤：
1)提供石墨坩埚主体；
2)在所述石墨坩埚主体的内壁上形成SiC层。
6.根据权利要求5所述的坩埚的制备方法，其特征在于：步骤2)中形成的所述SiC层为多晶SiC层。
7.根据权利要求5所述的坩埚的制备方法，其特征在于：步骤2)中，采用CVD工艺在所述石墨坩埚主体的内壁上形成所述SiC层。
8.根据权利要求7所述的坩埚的制备方法，其特征在于：采用CVD工艺在所述石墨坩埚主体的内壁上形成所述SiC层包括如下步骤：
2-1)将所述石墨坩埚主体置于CVD反应腔室内；
2-2)将反应气体通入所述CVD反应腔室内进行反应，以在所述石墨坩埚主体内壁上形成所述SiC层。
9.根据权利要求8所述的坩埚的制备方法，其特征在于：步骤2-2)中，所述反应气体包括：SiHCl
10.根据权利要求9所述坩埚的制备方法，其特征在于：所述SiHCl
11.根据权利要求5所述坩埚的制备方法，其特征在于：步骤2)中在所述石墨坩埚主体内壁上形成的所述SiC层的厚度小于20cm。
12.根据权利要求5至11中任一项所述坩埚的制备方法，其特征在于：步骤2)后还包括将步骤2)得到的结构进行高温处理的步骤。
13.根据权利要求12所述坩埚的制备方法，其特征在于：将步骤2)得到的结构置于氧气气氛下进行高温处理，高温处理的温度为500℃～1000℃。
14.根据权利要求13所述坩埚的制备方法，其特征在于：步骤2)得到的结构进行高温处理后，所述石墨坩埚主体内壁上保留的所述SiC层的厚度小于15cm。
15.一种4H-SiC晶体的生长方法，其特征在于，所述4H-SiC晶体的生长方法包括如下步骤：
1)制备坩埚，所述坩埚包括石墨坩埚主体及位于所述石墨坩埚主体内壁上的SiC层；
2)将碳源、硅源置于所述坩埚内，采用顶部籽晶体拉法生长所述4H-SiC晶体。
16.根据权利要求15所述的4H-SiC晶体的生长方法，其特征在于：采用如权利要求5至14中任一项所述的坩埚的制备方法制备所述坩埚。
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