[发明专利]低电压电流模式带隙电路及方法有效
申请号: | 201611013533.9 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN107066023B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 马蒂亚斯·阿诺尔德;阿西夫·加尧姆 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | G05F3/16 | 分类号: | G05F3/16 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 电流 模式 电路 方法 | ||
1.一种带隙电路,其包括:
第一放大器,其用于响应于与绝对温度成比例的参考电压及参考基极-射极电压而产生第一控制信号;
第一晶体管,其用于响应于所述第一控制信号而产生与绝对温度成比例的参考电流,其中所述与绝对温度成比例的参考电压及所述参考基极-射极电压是响应于所述与绝对温度成比例的参考电流而产生;
第二晶体管,其用于响应于第二控制信号而产生参考零温度系数信号,其中所述第二控制信号是响应于所述参考零温度系数信号而产生;
第一电阻器,所述第一电阻器具有耦合到所述第一晶体管的漏极的第一端子及耦合到第二电阻器的第一端子的第二端子,所述第二电阻器包含耦合到第一双极晶体管的射极的第二端子,其中所述与绝对温度成比例的参考电压是产生于所述第一电阻器的所述第二端子处;
第三电阻器,其耦合到所述第一晶体管的所述漏极;
电压分压器,其耦合到所述第三电阻器,且可操作以产生分率基极-射极电压;以及
第二放大器,其用于响应于所述第一控制信号和所述参考基极-射极电压而产生所述第二控制信号,其中所述第二放大器包含:
与绝对温度成比例的电流源晶体管,其耦合到所述第一放大器以接收所述第一控制信号,且可操作以产生与绝对温度成比例的转换器电流;以及
第一差分输入晶体管,其耦合到所述与绝对温度成比例的电流源晶体管以及所述电压分压器,且可操作以响应于与绝对温度成比例的经缩放电压以及所述分率基极-射极电压或响应于增量电压阈值以及所述分率基极-射极电压而产生所述第二控制信号。
2.根据权利要求1所述的带隙电路,其中所述第三电阻器具有耦合到所述第一晶体管的所述漏极的第一端子及耦合到第二双极晶体管的射极的第二端子,所述第一及第二双极晶体管可以相互不同的电流密度操作,其中所述参考基极-射极电压产生于第二双极晶体管的所述射极处。
3.根据权利要求1所述的带隙电路,其中所述第二控制信号是响应于所述与绝对温度成比例的参考电压及所述分率基极-射极电压而产生。
4.根据权利要求1所述的带隙电路,其中所述参考零温度系数信号是电压零温度系数及电流零温度系数中的一者。
5.根据权利要求1所述的带隙电路,其中所述第二放大器包含缩放电阻器,其可操作以响应于从所述与绝对温度成比例的电流源晶体管的漏极耦合的所述与绝对温度成比例的转换器电流的部分而产生所述与绝对温度成比例的经缩放电压。
6.根据权利要求1所述的带隙电路,其中所述第二放大器包含第二差分输入晶体管,其具有耦合到所述与绝对温度成比例的电流源晶体管的所述漏极的源极,所述第一差分输入晶体管可操作以相对于所述第二差分输入晶体管形成增量电压阈值且可操作以响应于所述增量电压阈值及所述分率基极-射极电压而产生所述第二控制信号。
7.根据权利要求1所述的带隙电路,其中所述第二控制信号具有互补于绝对温度温度系数。
8.根据权利要求1所述的带隙电路,其包括电流镜,所述电流镜可操作以响应于所述第二控制信号而从具有耦合到所述与绝对温度成比例的电流源晶体管的所述漏极的源极的第二差分输入晶体管吸收电流。
9.根据权利要求8所述的带隙电路,其中所述电流镜可操作以从所述第二控制信号吸收电流且作为响应而产生差分放大器输出信号。
10.根据权利要求9所述的带隙电路,其包括输出晶体管,所述输出晶体管可操作以响应于所述差分放大器输出信号而产生反馈信号,其中所述反馈信号是所述与绝对温度成比例的经缩放电压及所述分率基极-射极电压的总和且耦合到所述第二差分输入晶体管的栅极。
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