[发明专利]通过电测量检测等离子体不稳定性的系统和方法

权利要求书

1.一种用于对晶片进行等离子体处理的方法，其包括：

将晶片放置在晶片支撑装置上，所述晶片支撑装置位于电极下方，使得在所述晶片和所述电极之间存在等离子体产生区域；

向所述电极供应射频功率，以在等离子体处理操作的多个连续的等离子体处理循环期间在所述等离子体产生区域内产生等离子体；

操作连接到所述电极的至少一个电传感器，以在所述多个连续的等离子体处理循环中的每一个期间测量所述电极上的射频参数；

确定在所述多个连续的等离子体处理循环期间在所述电极上测得的所述射频参数的循环平均值；以及

确定在所述多个连续的等离子体处理循环期间在所述电极上测得的所述射频参数的所述循环平均值中是否存在指示性趋势或变化，其中所述指示性趋势或变化指示在所述等离子体处理操作期间等离子体不稳定性的形成。

2.根据权利要求1所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其中在所述电极上测量的所述射频参数是射频电压。

3.根据权利要求1所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其中在所述电极上测量的所述射频参数是射频电流。

4.根据权利要求1所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其中在所述电极上测量的所述射频参数是射频信号频率。

5.根据权利要求1所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其中在所述电极上测量的所述射频参数是射频阻抗。

6.根据权利要求1所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其中在所述电极上测量的所述射频参数是射频相位角。

7.根据权利要求1所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其中在所述电极上测量的所述射频参数是射频功率。

8.根据权利要求1所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其中确定在所述多个连续的等离子体处理循环期间在所述电极上测得的所述射频参数的所述循环平均值以及确定在所述多个连续的等离子体处理循环期间在所述电极上测得的所述射频参数的所述循环平均值中是否存在所述指示性趋势或变化是在完成所述等离子体处理操作之后执行的。

9.根据权利要求1所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其进一步包括：

在向所述电极供应射频功率以产生所述等离子体的同时，操作电信号处理单元以从所述至少一个电传感器接收测量数据；

在向所述电极供应射频功率以产生所述等离子体的同时，操作所述电信号处理单元以确定针对所述多个连续的等离子体处理循环中的每一个在所述电极上测得的所述射频参数的所述循环平均值；以及

在向所述电极供应射频功率以产生所述等离子体的同时，操作所述电信号处理单元以确定在所述多个连续的等离子体处理循环期间在所述电极上测得的所述射频参数的所述循环平均值中是否存在任何指示性趋势或变化。

10.根据权利要求9所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其进一步包括：

当确定在所述多个连续的等离子体处理循环期间在所述电极上测得的所述射频参数的所述循环平均值中确实存在所述指示性趋势或变化时，操作所述电信号处理单元以产生和传输控制信号以对向所述电极供应射频功率进行调整，从而减少在所述等离子体处理操作期间所述等离子体不稳定性的形成。

11.根据权利要求10所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其中，对向所述电极供应射频功率进行的所述调整导致供应给所述电极的射频功率的减小。

12.根据权利要求9所述的用于对晶片进行等离子体处理的方法，其进一步包括：

当确定在所述多个连续的等离子体处理循环期间在所述电极上测得的所述射频参数的所述循环平均值中不存在所述指示性趋势或变化时，操作所述电信号处理单元以产生并传输控制信号以增加供应给所述电极的射频功率量。