[发明专利]封装堆叠结构

说明书

一种封装堆叠结构，包括：第一基板、堆叠于该第一基板上的第二基板、以及设于该第一与第二基板之间的封装层，其中，该第二基板具有贯穿的穿孔，以于形成该封装层时，供该封装层的材料流入，藉以增加该封装层与该第二基板的接触面积，而增加两者的结合力。

技术领域

本发明有关一种封装结构，尤指一种封装堆叠结构。

背景技术

随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，遂发展出堆叠多个封装结构以形成封装堆叠结构(Package on Package，简称POP)的技术，此种封装方式能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子元件，例如：记忆体、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，通过堆叠设计达到系统的整合，适合应用于各种轻薄型电子产品。

图1为现有封装堆叠结构1的剖面示意图。如图1所示，该封装堆叠结构1通过焊锡球13堆叠封装基板11及中介基板(interposer)12，其中，该封装基板11上侧设有半导体元件10，而下侧设有用以接置电子装置(如电路板，图略)的焊球17，并于该封装基板11与该中介基板12之间形成封装胶体14，以包覆该半导体元件10与焊锡球13。

然而，现有封装堆叠结构1中，该中介基板12的两侧具有防焊层123，于经过多道制程后，该防焊层123容易发生白化，使得该封装胶体14与该中介基板12之间容易脱层(delamination)。

另外，于形成该封装胶体14时，空气容易残留于该封装基板11与该中介基板12之间，因而容易于该封装胶体14内产生空洞(void)，导致良率降低。

因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺失，本发明提供一种封装堆叠结构，以增加该封装层与该第二基板的接触面积，而增加两者的结合力。

本发明的封装堆叠结构包括：第一基板；第二基板，其具有相对的第一表面及第二表面，使该第二基板以其第一表面通过多个导电元件叠设于该第一基板上，其中，该第二基板具有至少一连通该第一表面与第二表面的穿孔；以及封装层，其形成于该第二基板与该第一基板之间及该穿孔中。

前述的封装堆叠结构中，该穿孔的宽度至多为50微米，例如，该穿孔的宽度为10至25微米。

前述的封装堆叠结构中，该第二基板的第一表面与第二表面上具有绝缘保护层，且该穿孔延伸贯穿该绝缘保护层，也就是该绝缘保护层形成有开口，且该开口连通至该穿孔，其中，该开口的宽度大于该穿孔的宽度。例如，该开口的宽度至多为100微米，且该穿孔及该开口的纵剖面呈T形、Ⅰ形或Ⅱ形。

前述的封装堆叠结构中，复包括设于该第一基板上并电性连接该第一基板的电子元件。该穿孔的位置对应该电子元件的位置，例如，该穿孔设于该第二基板的位置对应该电子元件投影至该第二基板的范围内，较佳地，该穿孔设于该第二基板的位置对应该电子元件投影至该第二基板的角落处。

前述的封装堆叠结构中，复包括设于该第二基板上并电性连接该第二基板的电子元件。

由上可知，本发明的封装堆叠结构，主要通过该第二基板形成有该穿孔，以于形成该封装层时，供该封装层的材料流入，藉以增加该封装层与该第二基板的接触面积，而增加两者的结合力，尤其是该穿孔延伸至该绝缘保护层的开口的宽度大于穿孔的宽度，使该封装层填充于该穿孔及该开口时，得以产生锁固(lock)的效果，避免发生脱层问题。

此外，该穿孔可作为模压排气孔，以于形成该封装层时，该封装层可经由该穿孔流至该第二基板的第二表面，因而能排挤出气体，故相比于现有技术，该封装堆叠结构能避免孔洞的发生。

附图说明

图1为现有封装堆叠结构的剖视示意图；